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審決分類 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 G03F
管理番号 1318505
審判番号 不服2015-9850  
総通号数 202 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-10-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2015-05-27 
確定日 2016-08-15 
事件の表示 特願2013- 29309「オキシムスルホネートおよびN-オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 7月25日出願公開、特開2013-145383〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 1 手続の経緯
本願は、2001年 8月24日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2000年 8月25日、米国)を国際出願日とする特願2002-521651号の一部を平成25年 2月18日に新たな特許出願としたものであって、同年 3月19日に手続補正がなされ、同年11月28日付けで拒絶理由が通知され、平成26年 6月10日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成27年 1月20日付けで拒絶査定がなされたところ、同年 5月27日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。

2 本願発明
本願の請求項1?6に係る発明は、平成26年 6月10日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項1?6に記載された事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、その請求項5に係る発明(以下「本願発明」という。)は、次のとおりのものである(下線は当審で付した。以下同じ。)。
「下記の化学式Iの光感応性酸発生剤化合物であって:
RR’C=NOS(O)_(2)Y I
ここで、RおよびR’の内少なくとも1つは、電子吸引性部分を有し;
もしRおよびR’の内の1つだけが電子吸引性部分ならば、RおよびR’の1つが、置換されていてもよい炭素環式芳香族基;置換されていてもよいアルキル;置換されていてもよいアルケニル;置換されていてもよいアルキニル;置換されていてもよいアルコキシ;置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族であって、該ヘテロ環1個につきN、OまたはS原子を1?3個含む3?8員からなる環を1?3個有するものであり;
Yが、水素以外の置換基である(ただし、Rがフェニルであり、かつR’がシアノ基である場合、及びYがトシル基である場合を除く)、光感応性酸発生剤化合物。」

ここで、本願発明は、「Rがフェニルであり、かつR’がシアノ基である場合、及びYがトシル基である場合を除く」ものであるから、上記化学式Iにおいて、Yが「トシル基」である光感応性酸発生剤化合物、及び、上記化学式Iにおいて、Rが「置換されていてもよい炭素環式芳香族基」の中で特に「フェニル」であり、かつ、R’が「電子吸引性部分」の中で特に「シアノ基」である光感応性酸発生剤化合物、すなわち、上記化学式Iにおける「RR’C」が、「ベンジルシアニド(フェニルアセトニトリル)」である光感応性酸発生剤化合物は、本願発明からは除かれているものと認められる。

3 引用例の記載事項
(1)原査定の拒絶の理由で引用文献1として引用された、特許法44条2項の規定により本願が出願されたものとみなされる原出願の優先権主張の日前(以下「優先日前」という。)に日本国内において頒布された刊行物である、特開平10-115925号公報(以下「引用例」という。)には、「ポジ型レジスト組成物」(発明の名称)に関して、次の記載がある。
ア 「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なポジ型レジスト組成物、さらに詳しくは、ArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性に優れるとともに、密着性にも優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。」

イ 「【0021】
次に、本発明組成物において、(B)成分として用いられる酸発生剤については特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられる従来公知のものの中から、任意のものを選択して使用することができる。このような酸発生剤の例としては、以下に示すものがある。
・・(略)・・
【0025】
(7)シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類;例えば、α‐(p‐トルエンスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド、α‐(p‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド、α‐(4‐ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド、α‐(4‐ニトロ‐2‐トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド、α‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐4‐クロロベンジルシアニド、α‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐2,4‐ジクロロベンジルシアニド、α‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐2,6‐ジクロロベンジルシアニド、α‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(2‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐チエン‐2‐イルアセトニトリル、α‐(4‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド、α‐[(p‐トルエンスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニル]アセトニトリル、α‐[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニル]アセトニトリル、α‐(トシルオキシイミノ)‐4‐チエニルシアニドなどの特開昭60-65072号公報に記載の公知のオキシムスルホネート、また、一般式
【化4】

(式中のR^(6)及びR^(7)は、それぞれ非芳香族性基である)
【化5】

(式中のR^(8)は芳香族性基、R^(9)は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である)又は
【化6】

(式中のAは二価又は三価の有機基、R^(10)はさらに置換されていてもよい炭化水素基、nは2又は3である)で表わされるオキシムスルホネート。
【0026】
前記一般式(IV)におけるR^(6)及びR^(7)で示される非芳香族性基としては、それぞれアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基などである。ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数1?12の直鎖状又は枝分れ状のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、n‐プロピル基、イソプロピル基、n‐ブチル基、イソブチル基、sec‐ブチル基、tert‐ブチル基、n‐ペンチル基、n‐オクチル基、n‐ドデシル基などが挙げられる。ハロゲノアルキル基はハロゲン原子の数については特に制限はなく、1個導入されていてもよいし、複数導入されていてもよい。またハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれでもよい。このハロゲノアルキル基として、好ましいのは炭素数1?4のハロゲノアルキル基、例えばクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、2‐ブロモプロピル基などである。
【0027】
次にアルケニル基としては、炭素数2?6の直鎖状又は枝分れ状のアルケニル基、例えばビニル基、1‐プロペニル基、イソプロペニル基、2‐ブテニル基などが好ましい。シクロアルキル基としては、炭素数5?12のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基などが、また、シクロアルケニル基としては、炭素数4?8のシクロアルケニル基、例えば1‐シクロブテニル基、1‐シクロペンテニル基、1‐シクロヘキセニル基、1‐シクロヘプテニル基、1‐シクロオクテニル基などが好ましい。アルコキシ基としては、炭素数1?8のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などが、シクロアルコキシ基としては、炭素数5?8のシクロアルコキシ基、例えばシクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが好ましい。R^(6)としては、アルキル基、シクロアルキル基及びシクロアルケニル基、特にシクロアルケニル基が好ましい。一方、R^(7)としては、アルキル基、ハロゲノアルキル基及びシクロアルキル基、特にアルキル基が好ましい。R^(6)がシクロペンテニル基で、R^(7)が炭素数1?4のアルキル基のものがより好ましい。
【0028】
前記一般式(IV)で表わされるオキシムスルホネート化合物の例としては、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘプテニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロオクテニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐エチルアセトニトリル、α‐(プロピルスルホニルオキシイミノ)‐プロピルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリルなどが挙げられる。」

(2)上記(1)の記載事項ア及びイによれば、引用例には、次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。
「α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘプテニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロオクテニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐エチルアセトニトリル、α‐(プロピルスルホニルオキシイミノ)‐プロピルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリルのいずれかからなる酸発生剤。」

4 対比及び判断
(1)本願発明と引用発明とを以下に対比する。
ア 本願の明細書の段落【0009】における「本発明で好ましいオキシムスルホネートPAGsには、以下に示す化学式Iのものを含むが、
RR’C=NOS(O)_(2)Y I
ここで、RおよびR’の内少なくとも1つは、電子吸引性部分を有し、それらは、シアノ;ニトロ;ハロアルキル、特にフルオロアルキル、たとえば、-CF_(3)、-CF_(2)CF_(3)およびその他のペルフルオロアルキル;アルカノイル;アルキルスルフィニル;アルキルスルホニル;などであり」との記載、及び、段落【0044】における「本明細書で用いる場合、アルキル、アルケニルおよびアルキニルという用語は、特に断らない限り、環式基および非環式基のいずれをも指している」との記載を参照すると、引用発明の「α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」は、本願発明の「下記の化学式Iにおいて、Rがアルケニルである1-シクロペンテニル基であり、R’が電子吸引性部分であるシアノ基であり、Yが水素以外の置換基であるメチル基である化合物
RR’C=NOS(O)_(2)Y I」に該当する。
また、引用発明の「α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル」、「α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘプテニルアセトニトリル」、「α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロオクテニルアセトニトリル」、「α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル」、「α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐エチルアセトニトリル」、「α‐(プロピルスルホニルオキシイミノ)‐プロピルアセトニトリル」、「α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロペンチルアセトニトリル」、「α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐シクロヘキシルアセトニトリル」、「α‐(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル」、「α‐(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル」及び「α‐(n‐ブチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロヘキセニルアセトニトリル」も、それぞれ、本願発明の「下記の化学式Iにおいて、Rがアルキルまたはアルケニルであり、R’が電子吸引性部分であるシアノ基であり、Yが水素以外の置換基である化合物
RR’C=NOS(O)_(2)Y I」に該当する。
また、特許請求の範囲に記載された「光感応性酸発生剤」との記載は、化合物としての構成を左右しない(化学式Iで表される構造を左右しない。)。
そうしてみると、本願発明と引用発明は、化合物としては、何ら相違するところがない。
あるいは、仮に、特許請求の範囲に記載された「光感応性酸発生剤」との記載が、化学式Iで表される化合物の中から、「光感応性酸発生剤」として機能しない化合物を除く意味であるとしても、以下イのとおりである。

イ 引用例の段落【0001】、【0021】の記載を参照すると、引用発明の「酸発生剤」は、化学増幅型のポジ型レジスト組成物に用いられるものであり、引用例の段落【0002】に「この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。」と記載されていることからも分かるように、化学増幅型のポジ型レジスト組成物に用いられる「酸発生剤」が、放射線の照射により酸を発生する、すなわち、光感応性であることは明らかである。
したがって、引用発明の「酸発生剤」は、本願発明の「光感応性酸発生剤」に相当する。

(2)そうしてみると、いずれにせよ、上記(1)のア及びイによれば、本願発明と引用発明とは、
「下記の化学式Iの光感応性酸発生剤化合物であって:
RR’C=NOS(O)_(2)Y I
ここで、RおよびR’の内少なくとも1つは、電子吸引性部分を有し;
もしRおよびR’の内の1つだけが電子吸引性部分ならば、RおよびR’の1つが、置換されていてもよい炭素環式芳香族基;置換されていてもよいアルキル;置換されていてもよいアルケニル;置換されていてもよいアルキニル;置換されていてもよいアルコキシ;置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族であって、該ヘテロ環1個につきN、OまたはS原子を1?3個含む3?8員からなる環を1?3個有するものであり;
Yが、水素以外の置換基である(ただし、Rがフェニルであり、かつR’がシアノ基である場合、及びYがトシル基である場合を除く)、光感応性酸発生剤化合物。」
である点で一致し、相違するところはない。

5 むすび
以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法29条1項3号に該当し、特許を受けることができない。
したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2016-03-22 
結審通知日 2016-03-23 
審決日 2016-04-05 
出願番号 特願2013-29309(P2013-29309)
審決分類 P 1 8・ 113- Z (G03F)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 古妻 泰一  
特許庁審判長 藤原 敬士
特許庁審判官 樋口 信宏
本田 博幸
発明の名称 オキシムスルホネートおよびN-オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト  
代理人 佐伯 憲生  

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