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審決分類 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1351327
審判番号 不服2018-2656  
総通号数 234 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2019-06-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2018-02-26 
確定日 2019-05-08 
事件の表示 特願2013-91448「低再結合電気接点を含む太陽電池並びにそれを形成するシステム及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成26年2月13日出願公開、特開2014-29985〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成25年4月24日(優先権主張2012年(平成24年)4月25日 米国(US))を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成28年11月17日付け:拒絶理由通知書
平成29年 2月21日 :意見書、手続補正書の提出
平成29年 6月12日付け:拒絶理由通知書
平成29年 9月19日 :意見書、手続補正書の提出
平成29年10月19日付け:拒絶査定(同年同月24日送達)
平成30年 2月26日 :審判請求書、手続補正書の提出
平成30年 4月 4日付け:前置報告書
平成30年 6月 5日 :上申書の提出

第2 平成30年2月26日にされた手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
平成30年2月26日にされた手続補正についての補正(以下「本件補正」という。)を却下する。

[理由]
1 本件補正について(補正の内容)
(1)本件補正後の特許請求の範囲の記載
本件補正により、特許請求の範囲の請求項1の記載は、次のとおり補正された。(下線部は、補正箇所である。)

「前面14と対向する背面18を画定するセル本体20であって、半導体材料から形成され、ベース層48を含むセル本体20と、
セル本体の前面14との電気的接続を形成する前面電気接点60と、
セル本体の背面18との電気的接続を形成する背面電気接点80と、
少なくともセル本体20と前面電気接点60との間に配置される中間層100であって、電気絶縁層110を含み、前記電気絶縁層110は堆積された電気絶縁層を含む中間層100と
を備える太陽電池であって、
前記太陽電池は、前記前面電気接点60の一部を形成するエミッタ層40と電極をさらに含み、
前記ベース層48は前記エミッタ層40と前記セル本体20の前記背面との間に配置され、
前記電極は、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される、太陽電池。」

(2)本件補正前の特許請求の範囲の記載
本件補正前の、平成29年9月19日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1の記載は、次のとおりである。

「前面14と対向する背面18を画定するセル本体20であって、半導体材料から形成され、ベース層48を含むセル本体20と、
セル本体の前面14との電気的接続を形成する前面電気接点60と、
セル本体の背面18との電気的接続を形成する背面電気接点80と、
少なくともセル本体20と前面電気接点60との間に配置される中間層100であって、電気絶縁層110を含み、前記電気絶縁層110は堆積された電気絶縁層を含む中間層100と
を備える太陽電池であって、
前記太陽電池は、前記前面電気接点60の一部を形成するエミッタ層40をさらに含み、
前記ベース層48は前記エミッタ層40と前記セル本体20の前記背面との間に配置され、
前記前面電気接点60は、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される、太陽電池。」

2 補正の適否
本件補正は、本件補正前の請求項1に記載した発明を特定するために必要な事項である「前面電気接点60」について、(太陽電池が)前面電気接点60の一部を形成する「電極をさらに含み」、ここで、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成されるものが「電極」であるとの限定を付加するものであって、補正前の請求項1に記載された発明と補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第17条の2第5項第2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで、本件補正後の前記請求項1に記載された発明(以下、「本件補正発明」という。)が特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に適合するか(特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか)について、以下検討する。

(1)本件補正発明
本件補正発明は、上記1(1)に記載したとおりのものである。

(2)引用文献等の記載事項
ア 引用文献1
(ア)原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、米国特許出願公開第2011/0272012号明細書(以下「引用文献1」という。)には、図面とともに、次の事項が記載されている。(下線は当審の付与したものである。以下同じ。)

a 「[0054] In operation 2B, a thin layer of high-quality (with Dit less than 1×10^(11)/cm^(2)) dielectric material is deposited on the front and back surfaces of SG-Si substrate 200 to form the front and back passivation/tunneling layers 202 and 204, respectively. ...
[0055] In operation 2C, a layer of hydrogenerated, graded-doping a-Si is deposited on front passivation/tunneling layer 202 to form emitter layer 206. ... Note that the doping profile of emitter layer 206 can be optimized to ensure good ohmic contact, minimum light absorption, and a large built-in electrical field. ...
[0056] In operation 2D, a layer of hydrogenerated, graded-doping a-Si is deposited on the surface of back passivation/tunneling layers 204 to form back surface field (BSF) layer 208. ... The existence of BSF layer 208 improves the back-side passivation and allows good ohmic contact to a subsequently deposited back transparent conductive oxide (TCO) layer. ...
[0057] In operation 2E, a layer of TCO material is deposited on the surface of emitter layer 206 to form a conductive anti-reflection layer 210. Examples of TCO include, but are not limited to: indium-tin-oxide (ITO), tin-oxide (SnOx), aluminum doped zinc-oxide (ZnO:Al or AZO), or gallium doped zinc-oxide (ZnO:Ga).
[0058] In operation 2F, back-side TCO layer 212 is formed on the surface of BSF layer 208.
[0059] In operation 2G, front-side electrode 214 and back-side electrode 216 are formed on the surfaces of TCO layers 210 and 212, respectively. In one embodiment, front-side electrode 214 and back-side electrode 216 include Ag finger grids, ...」
(当審仮訳:「[0054]オペレーション2Bにおいて、高品質の(Ditが1×10^(11)/cm^(2))の誘電体材料の簿層がSG-Si基板200の前面及び背面に堆積され、前面及び背面パッシベーション/トンネリング層202及び204を形成する。・・・
[0055]オペレーション2Cにおいて、水素化、傾斜ドープa-Siの層が前面パッシベーション/トンネリング層202に堆積され、エミッター層202を形成する。・・・エミッタ層206のドーププロファイルは、良好なオーミック接触、最小の光吸収及び大きなビルトイン電場を確保するよう最適化することができる。・・・
[0056]オペレーション2Dにおいて、水素化、傾斜ドープa-Siの層が背面パッシベーション/トンネリング層204に堆積され、背面フィールド(BSF)層208を形成する。・・・BSF層208の存在は、背面側のパッシベーションを改善し、後で堆積される背面透明導電酸化物(TCO)層への良いオーミック接触を与える。・・・
[0057]オペレーション2Eにおいて、TCO材料の層がエミッター層206の表面に堆積され、導電性の反射防止層210を形成する。TCOの例には次のものが含まれるが、それらに限られるものではない:インジウム・スズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnOx)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(ZnO:Al又はAZO)又はガリウムドープ酸化亜鉛(ZnO:Ga)。
[0058]オペレーション2Fにおいて、背面TCO層212がBSF層208の表面に形成される。
[0059]オペレーション2Gにおいて、前面側電極214及び背面側電極216がTCO層210及び212の表面にそれぞれ形成される。一実施例において、前面側電極及び背面側電極はAgフィンガーグリッドを含む、・・・」)

b 「[0060] FIG. 3 presents a diagram illustrating the process of fabricating a tunneling junction solar cell in accordance with an embodiment of the present invention. ...
[0063] In operation 3C, a layer of lightly doped c-Si is epitaxially grown on heavily doped c-Si EPI layer 302 to form a base layer 304. ...
[0064] After EPI growth of base layer 304, in operation 3D, SG-Si substrate 300 and heavily doped c-Si EPI layer 302 are removed. ...
[0066] The rest of the fabrication process is similar to the one shown in FIG. 2. In operation 3F, front and back passivation/tunneling layers 306 and 308 are formed using a process similar to operation 2B.
[0067] In operation 3G, emitter layer 310 and BSF layer 312 are formed using a process similar to the one used in operations 2C and 2D.
[0068] In operation 3H, front and back TCO layers 314 and 316 are formed using a process similar to the one used in operations 2E and 2F.
[0069] In operation 3I, front and back electrodes 318 and 320 are formed using a process similar to the one used in operation 2G.」
(当審仮訳:「[0060]図3に、本発明の実施例に沿ったトンネル接合太陽電池を製造するプロセスを表したダイアグラムを示す。・・・
[0063]オペレーション3Cにおいて、低ドープc-Siが高ドープc-Siエピ層302にエピタキシャル成長され、ベース層304を形成する。・・・
[0064]ベース層304のエピ成長の後に、オペレーション3Dにおいて、SG-Si基板300及び高ドープc-Siエピ層302が取り除かれる。・・・
[0066]その他の製造プロセスは図2に示されているものと同様である。オペレーション3Fにおいて、前面及び背面パッシベーション/トンネリング層306及び308が、オペレーション2Bにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
[0067]オペレーション3Gにおいて、エミッタ層310及びBSF層312が、オペレーション2C及び2Dにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
[0068]オペレーション3Hにおいて、前面及び背面TCO層314及び316が、オペレーション2E及び2Fにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
[0069]オペレーション3Iにおいて、前面及び背面電極318及び320が、オペレーション2Gにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。」)

c 引用文献1の図3において、ベース層304は前面及び背面を有し、これらの前面及び背面は対向していることが示されている。

d 上記aの記載のとおり、「オペレーション2Bにおいて、高品質の(Ditが1×10^(11)/cm^(2))の誘電体材料の簿層がSG-Si基板200の前面及び背面に堆積され、前面及び背面パッシベーション/トンネリング層202及び204を形成する」こと、及び、上記bの記載のとおり、「低ドープc-Siが高ドープc-Siエピ層302にエピタキシャル成長され、ベース層304を形成する」こと、「前面及び背面パッシベーション/トンネリング層306及び308が、オペレーション2Bにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される」ことから、誘電体材料の簿層である、前面及び背面パッシベーション/トンネリング層306及び308が、低ドープc-Siの、ベース層304の前面及び背面に堆積されているといえる。

同様に、上記b及びaの記載から、水素化、傾斜ドープa-Siの、エミッタ層310及びBSF層312、前面及び背面パッシベーション/トンネリング層202に堆積されているといえ、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、前面及び背面TCO層314及び316が、エミッタ層310及びBSF層312に堆積されているといえる。

したがって、これらの記載及び図に示された事項から、引用文献1には以下の発明(以下「引用文献1発明」という。)が記載されていると認められる。

「前面と対向する背面を有する、低ドープc-Siの、ベース層304、
ベース層304の前面及び背面に堆積された、誘電体材料の、前面パッシベーション/トンネリング層306及び背面パッシベーション/トンネリング層308、
前面パッシベーション/トンネリング層306に堆積された、水素化、傾斜ドープa-Siの、エミッタ層310、
エミッタ層310に堆積された、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、前面透明導電酸化物(TCO)層318、
背面パッシベーション/トンネリング層306に堆積された、水素化、傾斜ドープa-Siの、背面フィールド(BSF)層310、
背面フィールド(BSF)層310に堆積された、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、背面透明導電酸化物(TCO)層318、
前面電極318及び背面電極320、
を有する、太陽電池。」

イ 技術常識を示す文献
原査定において示された、技術常識を示す文献である、特開2006-164961号公報には、次の事項(以下「技術常識文献記載事項」という。)が記載されている。

「【0002】
従来、ITO膜やその他の透明電極膜と、ごく薄い(5?20nm程度)Ag系金属薄膜とを積層させた積層型透明電極膜を製造する技術は数多く提案されている(特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4参照)。特許文献1、特許文献2、特許文献3には、ITO膜/Ag系膜/ITO膜構造が記載され、 特許文献1にはAZO膜/Ag系膜/AZO膜構造が記載され、また特許文献4にはIZO膜/Ag系膜/IZO膜構造が記載されている。この種の積層型透明電極膜はITO膜やその他の透明電極膜を単独で作製した膜よりも低抵抗かつ透明である。」

(3)本件補正発明と引用文献1発明の対比・判断
ア 本件補正発明と引用文献1発明を対比する。
(ア)引用文献1発明の「ベース層304」は、本件補正発明の「ベース層48」に相当する。そして、引用文献1発明の「ベース層304」は、前面と対向する背面を有していることから、前面と背面を画定しており、半導体材料である低ドープc-Siから形成されているベース層304を含むから、本件補正発明の「前面14と対向する背面18を画定するセル本体20であって、半導体材料から形成され、ベース層48を含むセル本体20」に相当する。

(イ)引用文献1発明の「エミッタ層310」は、本件補正発明の「エミッタ層40」に相当する。そして、引用文献1発明のベース層304は、ベース層304の背面とエミッタ層の間に配置されているので、本件補正発明の「前記ベース層48は前記エミッタ層40と前記セル本体20の前記背面との間に配置され」るという構成を備えている。

(ウ)引用文献1発明の「エミッタ層310」は、半導体材料からなるものであって、太陽電池を構成するため、ベース層304と電気的に接続されている。引用文献1発明の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」も、導電性の層であるため、エミッタ層310を介して、ベース層304と電気的に接続されている。したがって、これらは、本件補正発明の「セル本体の前面14との電気的接続を形成する前面電気接点60」に相当する。

(エ)引用文献1発明の「背面フィールド(BSF)層310」は、半導体材料からなるものであって、ベース層304の背面に堆積されたものであるから、ベース層と電気的に接続されている。引用文献1発明の「背面透明導電酸化物(TCO)層」も、導電性の層であるため、背面フィールド(BSF)層310と電気的に接続されている。したがって、これらは、本件補正発明の「セル本体の背面18との電気的接続を形成する背面電気接点80」に相当する。

(オ)引用文献1発明の「誘電体材料」は、半導体材料や導電性の材料ではない、電気絶縁性の材料であることを意味し、このように電気絶縁性の材料から形成される、引用文献1発明の「前面パッシベーション/トンネリング層306」は、ベース層304の前面に堆積され、ベース層304とエミッタ層310の間に配置されているから、引用文献1発明の「前面パッシベーション/トンネリング層306」は、本件補正発明の「少なくともセル本体20と前面電気接点60との間に配置される中間層100であって、電気絶縁層110を含み、前記電気絶縁層110は堆積された電気絶縁層を含む中間層100」に相当する。

(カ)上記のとおり、引用文献1発明の「エミッタ層310」及び「前面透明導電酸化物(TCO)層318」は、本件補正発明の「前面電気接点60」に相当するが、引用文献1発明の「エミッタ層310」は、本件補正発明の「エミッタ層40」に相当し、かつ、前面透明導電酸化物(TCO)層318は、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛という、透明すなわち透光性を有し、導電性を有する材料から形成されたものである。そして、技術常識文献記載事項のとおり、太陽電池における電極とは、正負の両極を電気的に接続して電流を流すため両極側に配置される導電性の部材を指すものであって、両極側に膜状すなわち層として形成された透明導電部材も電極といえることは技術常識であるから、引用文献1発明の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」は、本件補正発明の「前記前面電気接点60の一部を形成」し、「透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される」電極に相当する。

(キ)ここで、審判請求人(出願人)は、審判請求書及び上申書において、引用文献1発明の「前面電極318」が、本件補正発明の「電極」に相当するものであり、引用文献1発明の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」は本件補正発明の「電極」に相当しない旨の主張をしていることから、以下、この主張について検討する。

確かに、引用文献1発明においては「前面電極318」が電極という用語によって示され、「前面透明導電酸化物(TCO)層318」が透明導電酸化物層という用語によって示されていることから、用語のみを見れば、引用文献1発明においては「前面電極318」が本件補正発明の「電極」に近いともいえるが、上記(カ)のとおり、太陽電池における電極とは、正負の両極を電気的に接続して電流を流すため両極側に配置される導電性の部材を指すものであって、引用文献1発明の「前面電極318」のように両極側に最終的な集電のために前面又は背面の局所的な部分に厚い金属として形成されるもののみならず、両極側に膜状すなわち層として形成された透明導電部材も電極といえることは技術常識であるから、引用文献1の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」も太陽電池における電極であるといえるものである。

さらに、引用文献1発明の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」が電極といえ、本件補正発明の「電極」に相当することは、次のa及びbからも明らかである。

a 当該前面透明導電酸化物(TCO)層318が両極側に形成された導電性の部材であることのみならず、引用文献1の段落[0055]及び[0056]の上記記載から、引用文献1発明のエミッタ層206及び前面透明導電酸化物(TCO)層318は層の全体としてオーミック接触すなわち電気を導通するように接触しているといえる。

b 本願の図面及び例えば明細書の段落【0049】の「光学的に透明な前面電極68は、その上に入射する光に対して少なくとも部分的に透明であるため、光学的に透明な前面電極68はセル本体20の前面24の大部分及び/又はすべてを占める」という記載、段落【0050】の「前面電気接点60は金属前面電極64及び光学的に透明な前面電極68を含みうる。前面電気接点60が金属前面電極64と光学的に透明な前面電極68を共に含む場合には、光学的に透明な前面電極68は電気的に分離された金属前面電極64とセル本体20との間に配置されてもよい。金属前面電極64と光学的に透明な前面電極68との組合せは、前面電気接点60に接触し、近位にあり、及び/又は覆われている前面24の比率を増やすことによって、セル本体20の前面24から前面電気接点60までの可動キャリアの伝導を改善することができる。これは、金属前面電極64を含むが光学的に透明な前面電極68を含まない前面電気接点60と比較して、金属前面電極64に含まれる複数の金属線66の間の間隔を増大させることができる。この間隔の増大は、入射する光の吸収に利用しうる前面24の比率を増大させ、及び/又は金属前面電気接点64による光の反射及び/又は吸収を減少させることができる」という記載等を考慮しても、本件補正発明の「前記前面電気接点60の一部を形成」し、「透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される」「電極」は、引用文献1発明の「前面透明導電酸化物(TCO)層318」と同様に、他の金属電極とともに使われ得るものであって、太陽電池のセル本体の前面の大部分を覆うように形成された透明導電材料からなる層状の部材を当然含むものである。

よって、審判請求人の上記主張は採用できず、本件補正発明と引用文献1発明を対比したとき、引用文献1発明は本件補正発明の構成要件を全て備え、両者は一致する。

イ したがって、本件補正発明は、引用文献1発明であるから、特許法第29条第1項3号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

3 本件補正についてのむすび
以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明について
1 本願発明
平成30年2月26日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項1ないし12に係る発明は、平成29年9月19日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし12に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、上記第2[理由]1(2)に記載したとおりのものである。

2 原査定の拒絶の理由
原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項1、3、7ないし12に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献1に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができず、また、この出願の請求項1ないし12に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献1及び2に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない、というものである。

引用文献1:米国特許出願公開第2011/0272012号明細書
引用文献2:国際公開第2011/145731号

3 引用文献
原査定の拒絶の理由で引用された引用文献1の記載事項は、上記第2の[理由]2(2)に記載したとおりである。

4 対比・判断
本願発明は、前記第2の[理由]2(3)で検討した本件補正発明から、「前面電気接点60」について、前面電気接点60が「電極をさらに含み」、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成されるものが「電極」であるとの限定事項を削除したものである。

そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記限定事項を付加したものに相当する本件補正発明は、上記第2の[理由]2(3)に記載したとおり、引用文献1発明であるから、本願発明も、引用文献1発明である。

第4 むすび
以上のとおり、本願発明は、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審理終結日 2018-11-29 
結審通知日 2018-12-04 
審決日 2018-12-18 
出願番号 特願2013-91448(P2013-91448)
審決分類 P 1 8・ 113- Z (H01L)
P 1 8・ 575- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 嵯峨根 多美森江 健蔵  
特許庁審判長 西村 直史
特許庁審判官 近藤 幸浩
古田 敦浩
発明の名称 低再結合電気接点を含む太陽電池並びにそれを形成するシステム及び方法  
代理人 園田・小林特許業務法人  

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