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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載 C08G 審判 全部申し立て 2項進歩性 C08G 審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 C08G |
|---|---|
| 管理番号 | 1383252 |
| 総通号数 | 4 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2022-04-28 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2022-10-21 |
| 確定日 | 2022-01-05 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 訂正明細書 | true |
| 事件の表示 | 特許第６６８７１３９号発明「電子機器」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第６６８７１３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１３〕、〔１４−２２〕、〔２３−２４〕について訂正することを認める。 特許第６６８７１３９号の請求項１ないし４、６ないし１７、１９ないし２２に係る特許を維持する。 特許第６６８７１３９号の請求項５、１８、２３、２４に係る特許に対する本件の異議申立てを却下する。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 特許第６６８７１３９号（請求項の数２４。以下、「本件特許」という。）は、平成３１年１月３１日（優先権主張：平成３０年２月２日）を出願日とする特許出願（特願２０１９−１５６８４号）に係るものであって、令和２年４月６日に設定登録されたものである（特許掲載公報の発行日は、令和２年４月２２日である。）。 その後、令和２年１０月２１日に、本件特許の請求項１〜２４に係る特許に対して、特許異議申立人である宮本邦彦（以下、「申立人」という。）より、特許異議の申立てがなされた。 それ以降の手続の経緯は以下のとおりである。 令和３年 ２月１８日付け 取消理由通知書 同年 ４月２３日 訂正の請求及び意見書（特許権者） 同年 ５月１９日付け 通知書（申立人宛） 同年 ６月１７日 意見書（申立人） 同年 ７月２１日付け 取消理由通知書（決定の予告） 同年 ９月２２日 訂正請求書及び意見書（特許権者） 同年１０月 １日付け 通知書（申立人宛） 同年１１月 ５日 意見書（申立人） （なお、令和３年９月２２日に訂正請求されたことにより、令和３年４月２３日にされた訂正請求は、特許法第120条の5第7項の規定により取り下げられたものとみなされた。） 第２ 訂正の適否 １．訂正事項 令和３年１１月５日付けの訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求は、特許請求の範囲を、上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおりに訂正することを求めるものであり、その内容は、以下のとおりのものである。下線は、訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において、 「「式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３ＸＦ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ− （式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表され、かつ、少なくとも１の分岐構造を有する基、または、式： −（Ｒ１６−Ｒ１７）ｊ１− （式中、Ｒ１６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり； Ｒ１７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３ＸＦ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり； ｊ１は、２〜１００の整数であり； ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表される基であり；」を 「式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり；」に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１において、 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；」を 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し；」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１において、 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； βは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；」を 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり；」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１において、 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；」を 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６において、 「請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子機器。」を、 「請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子機器。」に訂正する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７において、 「請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子機器。」を、 「請求項１〜４および６のいずれか１項に記載の電子機器。」に訂正する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項８において、 「請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子機器。」を、 「請求項１〜４、６および７のいずれか１項に記載の電子機器。」に訂正する。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１０において、 「ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３ＸＦ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ− （式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表され、かつ、少なくとも１の分岐構造を有する基、または、式： −（Ｒ１６−Ｒ１７）ｊ１− （式中、Ｒ１６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり； Ｒ１７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３ＸＦ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり； ｊ１は、２〜１００の整数であり； ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表される基」を 「ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり；」に訂正する。 （１０）訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１０において、 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；」を 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し；」に訂正する。 （１１）訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項１０において、 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； βは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；」を 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり；」に訂正する。 （１２）訂正事項１２ 特許請求の範囲の請求項１０において、 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；」を 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；」に訂正する。 （１３）訂正事項１３ 特許請求の範囲の請求項１１において、 「請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子機器。」を、 「請求項１〜４および６〜１０のいずれか１項に記載の電子機器。」に訂正する。 （１４）訂正事項１４ 特許請求の範囲の請求項１３において、 「請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子機器。」を、 「請求項１〜４および６〜１２のいずれか１項に記載の電子機器。」に訂正する。 （１５）訂正事項１５ 特許請求の範囲の請求項１４において、 「ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３ＸＦ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ− （式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表され、かつ、少なくとも１の分岐構造を有する基、または、式： −（Ｒ１６−Ｒ１７）ｊ１− （式中、Ｒ１６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり； Ｒ１７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３ＸＦ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり； ｊ１は、２〜１００の整数であり； ＸＦは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子である。） で表される基」を 「ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり；」に訂正する。 （１６）訂正事項１６ 特許請求の範囲の請求項１４において、 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；」を 「Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し；」に訂正する。 （１７）訂正事項１７ 特許請求の範囲の請求項１４において、 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； βは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；」を 「Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり；」に訂正する。 （１８）訂正事項１８ 特許請求の範囲の請求項１４において、 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；」を 「Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；」に訂正する。 （１９）訂正事項１９ 特許請求の範囲の請求項１８を削除する。 （２０）訂正事項２０ 特許請求の範囲の請求項１９において、 「請求項１４〜１８のいずれか１項に記載のセット機器。」を「請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のセット機器。」に訂正する。 （２１）訂正事項２１ 特許請求の範囲の請求項２０において、 「請求項１４〜１９のいずれか１項に記載のセット機器。」を「請求項１４〜１７および１９のいずれか１項に記載のセット機器。」に訂正する。 （２２）訂正事項２２ 特許請求の範囲の請求項２３を削除する。 （２３）訂正事項２３ 特許請求の範囲の請求項２４を削除する。 ２．一群の請求項について 訂正前の請求項２〜９、１１〜１３は、訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあり、訂正事項１〜４によって記載が、訂正される訂正前の請求項１に連動して訂正されるから、訂正前の請求項１〜９、１１〜１３は、一群の請求項に該当するものである。 訂正前の請求項１１〜１３は、訂正前の請求項１０を直接又は間接的に引用する関係にあり、訂正事項９〜１２によって記載が、訂正される訂正前の請求項１０に連動して訂正されるから、訂正前の請求項１０〜１３は、一群の請求項に該当するものである。 そして、一群の請求項である訂正前の請求項１〜９、１１〜１３と同請求項１０〜１３とは、請求項１１〜１３で共通するから、訂正前の請求項１〜１３は、一つの一群の請求項といえ、訂正事項１〜１４は、請求項〔１−１３〕の一群の請求項についてなされたものといえる。 訂正前の請求項１５〜２２は、訂正前の請求項１４を直接又は間接的に引用する関係にあり、訂正事項１５〜１８によって記載が、訂正される訂正前の請求項１４に連動して訂正されるから、訂正前の請求項１４〜２２は、一群の請求項に該当するものである。 よって、訂正事項１５〜２１は、請求項〔１４−２２〕の一群の請求項についてなされたものといえる。 訂正前の請求項２４は、訂正前の請求項２３を引用する関係にあり、訂正事項２２によって記載が、訂正される訂正前の請求項２３に連動して訂正されるから、訂正前の請求項２３〜２４は、一群の請求項に該当するものである。 よって、訂正事項２２〜２３は、請求項〔２３−２４〕の一群の請求項についてなされたものといえる。 以上からすると、本件訂正は、請求項〔１−１３〕、〔１４−２２〕、〔２３−２４〕の一群の請求項ごとに請求がなされたものというべきである。 ３．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・ 変更の存否 （１）訂正事項１、９、１５ 訂正事項１は、訂正前の請求項１の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）に対する「ＰＦＰＥ」、訂正事項９、１５は、訂正前の請求項１０、１４の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）に対する「ＰＦＰＥ」について記載されていた「式：−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３ＸＦ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−」または「式： −（Ｒ１６−Ｒ１７）ｊ１−」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）を、本件明細書の【０１５４】に記載されていた「上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。」、同【０２０７】に記載されていた「上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。」に従い、訂正前の請求項１の式（Ａ１）及び（Ａ２）の「ＰＦＰＥ」及び同【０１０１】に記載されていた「式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり；」に限定するものである。 したがって、訂正事項１、９、１５は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 （２）訂正事項２、１０、１６ 訂正事項２、１０、１６は、訂正前の請求項１、１０、１４に記載されていたＸ１の選択肢である「単結合または２〜１０価の有機基」から、単に「単結合」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 （３）訂正事項３、１１、１７ 訂正事項３、１１、１７は、訂正前の請求項１、１０、１４に記載されていたＸ３の２〜１０価の有機基について、本件明細書の【０１６０】における「Ｘ３の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。」との記載に基づき、同【０１１９】で説明された、Ｘ１の定義（但し、Ｘｂが、−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−である場合は除かれている。）に限定するものであり、更に、β、β’についても、同【０１５６】、【０１５８】、【０１５９】の記載に基づき、それぞれを１に限定するものである。 したがって、訂正事項３、１１、１７は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 （４）訂正事項４、１２、１８ 訂正事項４、１２、１８は、訂正前の請求項１、１０、１４に記載されていたＺ３の選択肢である「酸素原子または２価の有機基」から、単に「酸素原子」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 （５）訂正事項５、１９、２２、２３ 訂正事項５、１９、２２、２３は、訂正前の請求項５、１８、２３、２４を単に削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 （６）訂正事項６〜８、１３〜１４、２０〜２１ 訂正事項６〜８、１３〜１４、２０〜２１は、訂正事項５、１９により、訂正前の請求項５、１８が削除されたことに伴い、訂正前の請求項６〜８、１１、１３、１９、２０が引用している請求項を単に削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。 ４．小括 以上のとおり、本件訂正請求による訂正事項１〜２３は、いずれも、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものであり、いずれも同法同条第９項で準用する同法第126条第5項及び第６項の規定に適合している。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおりに訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正により訂正された請求項１〜２４に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された、以下の事項によって特定されるとおりのものである。下線は、訂正箇所を示す。 以下、本件訂正により訂正された請求項１〜２４に係る発明を、項番に従い、「本件発明１」〜「本件発明２４」といい、これらを総称して、「本件発明」ということがある。これに対し、本件訂正前の請求項１〜２４に係る発明、すなわち本件特許の設定登録時の請求項１〜２４に係る発明を、「訂正前の本件発明１」〜「訂正前の本件発明２４」といい、これらを総称して、「訂正前の本件発明」ということがある。 また、本件特許の設定登録時の明細書を「本件明細書」という。 「【請求項１】 少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）： 【化１】  ［式中： 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； 式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し； Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、０であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、３であり； ｌ１およびｍ１は、０であり； Ｘ５は、下記式： −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中： Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’ −またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し； ｓ’は、１〜２０の整数であり； Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し； Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し； Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ１−６アルキル基またはＣ１−６アルコキシ基を表し； Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基を表し； Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり； ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり； ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数であり； ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり； ｌ’は、１〜１０の整数であり； ｐ’は、０または１であり； ｑ’は、０または１であり； ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］で表される２価の基を表し； γおよびγ’は、１であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、１〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、０であり； ｌ２は、３であり； ｍ２は、０であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する、電子機器。 【請求項２】 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＳｉＲ１３が少なくとも２存在する、請求項１に記載の電子機器。 【請求項３】 式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２存在する、請求項１または２に記載の電子機器。 【請求項４】 式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が２以上存在する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項５】 （削除） 【請求項６】 Ｒ８３およびＲｆが、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項７】 前記電子機器が、充電式の電池により駆動し得る機器である、請求項１〜４および６のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項８】 前記電子機器が、携帯電話、またはスマートフォンである、請求項１〜４、６および７のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項９】 第１の主面と、該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、 前記第２の主面上に、前記表面処理層を有する、請求項７または８に記載の電子機器。 【請求項１０】 少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）： 【化２】  ［式中： ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し； Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１のｑ１が１〜３の整数であり； Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する電子機器であり、 前記電子機器が、充電台である、電子機器。 【請求項１１】 表面処理層を有する表面における水の接触角が、１００度以上であり、および、動摩擦係数が０．１〜０．５の範囲にある、請求項１〜４および６〜１０のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項１２】 前記水の接触角が、１１０度以上であり、および、動摩擦係数が０．１５〜０．３５の範囲にある、請求項１１に記載の電子機器。 【請求項１３】 ＰＦＰＥが、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下の整数）で表される基である、請求項１〜４および６〜１２のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項１４】 電子機器と充電台とを有するセット機器であって、 前記電子機器および前記充電台の少なくとも１が、少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）： 【化３】  ［式中： ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式； −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し； Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１のｑ１が１〜３の整数であり； Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する、セット機器。 【請求項１５】 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＳｉＲ１３が少なくとも２存在する、請求項１４に記載のセット機器。 【請求項１６】 式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２存在する、請求項１４または１５に記載のセット機器。 【請求項１７】 式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が２以上存在する、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項１８】 （削除） 【請求項１９】 Ｒ８３およびＲｆが、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基である、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項２０】 前記電子機器が、第１の主面と、該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、 前記充電台が、充電時に前記電子機器を配置する面を有し、 電子機器の前記第２の主面は、前記電子機器の充電時に、前記充電台の面と接触する面であり、 前記電子機器の第１の主面および第２の主面、および、前記充電台の面の少なくとも１つに、前記表面処理層が位置する、請求項１４〜１７および１９のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項２１】 前記電子機器の第２の主面、および、前記充電台の面の少なくとも１つに、前記表面処理層が位置する、請求項２０に記載のセット機器。 【請求項２２】 前記電子機器の第２の主面に、前記表面処理層が位置する、請求項２１に記載のセット機器。 【請求項２３】 （削除） 【請求項２４】 （削除）」 第４ 異議申立ての理由と当審が通知した取消理由 １．異議申立ての理由（以下、「申立理由」という。） （１）申立理由の概要 ア．申立理由１（新規性の欠如） 訂正前の本件発明１〜８、１１〜１３は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は同法第113条第2号の規定により取り消すべきものである。 イ．申立理由２（進歩性の欠如） 訂正前の本件発明１〜２４は、甲第１号証〜甲第９号証に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は同法第113条第2号の規定により取り消すべきものである。 ウ．申立理由３（サポート要件違反） 本件明細書の実施例で具体的に記載され、その作用効果が実証されているのは、式（Ｂ１）、（Ｃ１）で表される化合物だけであり、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ２）、（Ｃ２）の化合物についてはその作用効果が全く確認されていないし、式（Ｂ１）、（Ｃ１）の化合物も、ＰＦＰＥについて広範に規定されているところ、その作用効果が確認あるいは立証されているのはごく狭い部分であるから、訂正前の本件発明１、１０、１４は、その発明の作用効果が具体的に確認され、あるいは立証されている範囲に比して広すぎる。 したがって、訂正前の本件発明１、１０、１４及びこれらを引用する訂正前の本件発明２〜９、１１〜１３、１５〜２４は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものではないから、特許法第36条第6項第1号に適合するものではなく、訂正前の本件発明１〜２４についての特許は、特許法第36条第6項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第113条第4号に該当し、取り消すべきものである。 エ．申立理由４（明確性要件違反） 本件明細書の実施例１〜６には、滑り性抑制の指標である動摩擦係数が０．２２〜０．２８の範囲のものが示されているが（【００４７】）、甲第６号証の実施例４には、訂正前の本件発明１０、１４の式（Ｂ１）に該当する化合物（ＩＸ）を含む表面処理剤による硬化被膜の動摩擦係数が０．０５であることが示されており（【００６１】）、訂正前の本件発明における滑り性抑制の範囲から外れるものとなっている。 したがって、訂正前の本件発明１、１０、１４は、訂正前の本件発明の作用効果を奏さない化合物が含まれている、或いは、含まれている蓋然性が高いので、訂正前の本件発明１〜２４は特許法第36条第6項第2号に適合するものではなく、訂正前の本件発明１〜２４についての特許は、特許法第36条第6項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第113条第4号に該当し、取り消すべきものである。 （２）証拠方法 申立人が、特許異議申立書に添付した証拠方法（甲第１〜９号証）は、以下のとおりである。 ・甲第１号証：特開２００８−１４４１４４号公報 ・甲第２号証：特開２００７−１９７４２５号公報 ・甲第３号証：特開２００２−３４８３７０号公報 ・甲第４号証：特開２０１６−２０４６５６号公報 ・甲第５号証：特開２０１２−０７２２７２号公報 ・甲第６号証：特開２０１４−２１４１９４号公報 ・甲第７号証：特開２０１７−００２２１６号公報 ・甲第８号証：特開２０１３−１５０３９３号公報 ・甲第９号証：実用新案登録第３２０９８７８号公報 （以下、「甲第１号証」〜「甲第９号証」を、それぞれ「甲１」〜「甲９」という。） ２．取消理由通知書に記載した取消理由の概要 （１）令和３年２月１８日付け取消理由通知書に記載した取消理由の概要 ア．取消理由１（サポート要件違反） （ア） 本件明細書の記載によれば、訂正前の請求項１で特定される具体例であって、フルオロ（ポリ）エーテル基に分岐構造を有するフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物を表面処理剤として用いれば、「水の接触角」、「動摩擦係数」が特定の範囲となり、電子機器の表面における滑り性を抑制するという本件発明の課題を解決できると認識できるといえるが、訂正前の請求項２３の記載では表面処理層として何ら特定はなく、訂正前の本件発明２３が、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえず、発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえない。 （イ） 訂正前の本件発明１、１０、１４の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）で表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物におけるＰＦＰＥは、分岐構造を有しないものも包含し、本件明細書の対照化合物２をも包含し得る。 加えて、甲６の実施例１〜５には、分岐構造を有する【化２９】〜【化３４】の化合物を含む表面処理剤による表面処理層の動摩擦係数が、それぞれ、０．０４、０．０４、０．０５、０．０５、０．０４であることが示されており、分岐構造を有していても、表面処理層の動摩擦係数が低いものが当業者に公知であるから、訂正前の本件発明１、１０、１４が、ＰＦＰＥとして分岐構造を有するとしても、電子機器の表面における滑り性を抑制できるかは不明である。 よって、訂正前の本件発明１、１０、１４は、当業者が出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明の記載により訂正前の本件発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものである。 （ウ） したがって、訂正前の本件発明１、１０、１４、２３及びこれらを引用する訂正前の本件発明２〜９、１１〜１３、１５〜２２、２４は、特許法第36条第6項第1号に適合するものではないから、訂正前の本件発明１〜２４についての特許は、特許法第36条第6項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第113条第4号に該当し、取り消すべきものである。 イ．取消理由２（新規性の欠如） 訂正前の本件発明１〜９、１１〜１３は、甲１〜４に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は同法第113条第2号の規定により取り消すべきものである。 ウ．取消理由３（進歩性の欠如） 訂正前の本件発明１〜２４は、甲１〜４に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は同法第113条第2号の規定により取り消すべきものである。 （２）令和３年７月２１日付け取消理由通知書（決定の予告） に記載した取消理由の概要 ア．取消理由４（サポート要件違反） 上記の「（１）令和３年２月１８日付け取消理由通知書に記載した取消理由」の「ア．取消理由１（サポート要件）」の（イ）で示した取消理由と同旨のものである。 イ．取消理由５（明確性要件違反） 令和３年４月２３日付けの訂正請求（上記の第１で示したとおり、令和３年９月２２日に訂正請求されたことにより取り下げられたものとみなされた。）の訂正請求の範囲の請求項１３は、ＰＦＰＥを、「−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｄ−…で表される基」に限定するものであるが、同請求項１３が引用する同請求項１、１０は、ＰＦＰＥを、「−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｄ−…で表される基」と規定しており、ＣＦ３基の置換位置が異なっている。 したがって、同請求項１３の記載は、明確ではなく、同請求項１３に係る発明の特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し、取り消すべきものである。 第５ 当審の判断 訂正前の請求項５、１８、２３、２４は、本件訂正により、その内容が削除され、本件特許異議の申立ての対象を欠くものとなっており、訂正前の請求項５、１８、２３、２４に対する本件特許異議の申立ては不適法なものであり、その治癒ができないものであるから、特許法第120条の8第1項で準用する同法第135条の規定により、請求項５、１８、２３、２４に係る特許に対する各特許異議の申立ては却下すべきものである。 また、以下で述べるように、本件発明１〜４、６〜１７、１９〜２２に係る特許は、当審が通知した令和３年２月１８日付け取消理由通知書に記載した取消理由１〜３、令和３年７月２１日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由４〜５（以下、両方の取消理由通知書を総称して「取消理由通知書」という。）、申立人による申立理由１〜４によっては、取り消すことができない、と判断する。 １．取消理由通知書に記載した取消理由の検討 （１）取消理由１及び取消理由４（サポート要件違反） ア．本件明細書の発明の詳細な説明に記載された事項 本件明細書の発明の詳細な説明には次のような記載がある。 本ａ．本件発明の課題 「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本開示の目的は、電子機器の表面における滑り性を抑制することにある。」 本ｂ．本件発明を実施するための形態 「【００１５】 一の態様において、本開示の電子機器は、少なくとも表面の一部に、後述するフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物（以下において、「ＰＦＰＥ含有シラン化合物」と称することがある）より形成された層（以下、「表面処理層」ともいう）を有する。上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、フルオロ（ポリ）エーテル基が分岐構造を有する。すなわち、本開示の電子機器の表面の一部は、基材と、該基材の表面にＰＦＰＥ含有シラン化合物より形成された表面処理層を有する。ＰＦＰＥ含有シラン化合物より形成された表面処理層は、電子機器の最外層に設けられることが好ましい。 … 【００４１】 上記電子機器は、上記ハウジングの少なくとも表面の一部に、後述するＰＦＰＥ含有シラン化合物より形成された表面処理層を有することが好ましい。該ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、フルオロポリエーテル基に分岐構造を有する。 【００４２】 上記表面処理層を有することにより、本態様の電子機器の表面は、良好な紫外線耐久性、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、耐ケミカル性、耐加水分解性、滑り性の抑制効果、高い摩擦耐久性、耐熱性、防湿性などを奏し得る。特に、本態様の電子機器では、上記表面処理層と接触する面（例えば、机の表面、充電台の充電面など）と、上記表面処理層との位置がずれることを防止し得る。すなわち、本態様の電子機器では、何らかの外力（例えば、重力、振動など）により上記表面処理層と接触する面と上記表面処理層との相対的な位置が変動することを防止し得る。例えば、上記電子機器を机、充電台などの上に戴置した場合に、上記電子機器と机、充電台などとの位置がずれることを防止し得、上記電子機器をより安定に戴置し得る。上記ハウジングには、滑 りを防止するための凹凸形状、あるいはゴムシートなどを設ける必要はない。… 【００７６】 （ＰＦＰＥ含有シラン化合物） 以下において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物について説明する。該ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、フルオロポリエーテル部分に分岐構造を有する。表面処理層は、該ＰＴＦＥ含有シラン化合物より形成される。」 本ｃ．本件発明の実施例 「【実施例】 【０３８５】 以下の実施例を通じてより具体的に説明するが、本開示はこれら実施例に限定されるものではない。 【０３８６】 （合成例１） 還流冷却器、温度計および撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、平均組成ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル変性カルボン酸体３２ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン１６ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド０．１３ｇおよび、塩化チオニル２．１７ｇを仕込み、窒素気流下、９０℃で１時間撹拌した。続いて、減圧下で揮発分を留去した後、１６ｇの１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１．３５ｇのトリエチルアミン、および１．７３ｇのＮＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３を仕込み、窒素気流下、室温で６時間撹拌した。続いて、パーフルオロヘキサン３０ｇ、アセトン１０ｇおよび３ｍｏｌ／Ｌの塩酸２０ｇを加えて３０分撹拌し、その後、分液ロートを用いてパーフルオロヘキサン相を分取した。その後、分取したパーフルオロヘキサン相を濾過し、続いて減圧下で揮発分を留去することにより、末端にアリル基を有する下記式のパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ａ）２９．６ｇを得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ａ）： ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３ 【０３８７】 （合成例２） 還流冷却器、温度計、撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、合成例１にて合成した末端にアリル基を有するパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ａ）２９ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン３５ｍｌおよびトリクロロシラン６．７ｇを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を０．３ｍｌ加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて６時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去した。続いて、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン３０ｍｌを加えて、５５℃で１０分間撹拌した後に、メタノール０．７３ｇとオルソギ酸トリメチル１６．８ｇの混合溶液を加えて、この温度にて２時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、末端にトリメチルシリル基を有する下記のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｂ）３０．１ｇを得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｂ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ 【０３８８】 （合成例３） 還流冷却器、温度計および撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、平均組成ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２８ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル変性カルボン酸体３２ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン１６ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド０．１０ｇおよび、塩化チオニル１．６９ｇを仕込み、窒素気流下、９０℃で１時間撹拌した。続いて、減圧下で揮発分を留去した後、１６ｇの１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１．０５ｇのトリエチルアミン、および１．３６ｇのＮＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３を仕込み、窒素気流下、室温で６時間撹拌した。続いて、パーフルオロヘキサン３０ｇ、アセトン１０ｇおよび３ｍｏｌ／Ｌの塩酸２０ｇを加えて３０分撹拌し、その後、分液ロートを用いてパーフルオロヘキサン相を分取した。その後、分取したパーフルオロヘキサン相を濾過し、続いて減圧下で揮発分を留去することにより、末端にアリル基を有する下記式のパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｃ）２９．２ｇを得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｃ）： ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２８ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３ 【０３８９】 （合成例４） 還流冷却器、温度計、および撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、合成例３にて合成した末端にアリル基を有するパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｃ）２９ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン３５ｍｌおよびトリクロロシラン５．２ｇを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を０．２３ｍｌ加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて６時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去した。続いて、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン３０ｍｌを加えて、５５℃で１０分間撹拌した後に、メタノール０．５７ｇおよびオルソギ酸トリメチル１３．１ｇの混合溶液を加えて、この温度にて２時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、末端にトリメチルシリル基を有する下記のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｄ）２９．６ｇを得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｄ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２８ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ 【０３９０】 （合成例５） 還流冷却器、温度計および撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、平均組成ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]１１ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル変性カルボン酸体３２ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン１６ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド０．２３ｇおよび、塩化チオニル３．８１ｇを仕込み、窒素気流下、９０℃で１時間撹拌した。続いて、減圧下で揮発分を留去した後、１６ｇの１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、２．４３ｇのトリエチルアミン、および３．０４ｇのＮＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３を仕込み、窒素気流下、室温で６時間撹拌した。続いて、パーフルオロヘキサン３０ｇ、アセトン１０ｇおよび３ｍｏｌ／Ｌの塩酸２０ｇを加えて３０分撹拌し、その後、分液ロートを用いてパーフルオロヘキサン相を分取した。その後、分取したパーフルオロヘキサン相を濾過し、続いて減圧下で揮発分を留去することにより、末端にアリル基を有する下記式のパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｅ）２９．４ｇを得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｅ）： ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]１１ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３ 【０３９１】 （合成例６） 還流冷却器、温度計、撹拌機を取り付けた２００ｍＬの４つ口フラスコに、合成例５にて合成した末端にアリル基を有するパーフルオロポリエーテル基含有アリル化合物（Ｅ）２９ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン２９．０ｍｌおよびトリクロロシラン１１．８ｇを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を０．８ｍｌ加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて６時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去した。続いて、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン２９．０ｍｌを加えて、５５℃で１０分間撹拌した後に、メタノール１．３０ｇとオルソギ酸トリメチル２９．２ｇの混合溶液を加えて、この温度にて２時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、末端にトリメチルシリル基を有する下記のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｆ）３０．０を得た。 ・パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（Ｆ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]１１ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ 【０３９２】 （実施例１） 上記合成例２で得られた化合物（Ｂ）を、濃度２０ｗｔ％になるように、ハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ７２００）に溶解させて、表面処理剤を調製した。 【０３９３】 （実施例２） 化合物（Ｂ）に代えて、上記合成例４で得られた化合物（Ｄ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤を調製した。 【０３９４】 （実施例３） 化合物（Ｂ）に代えて、上記合成例６で得られた化合物（Ｆ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤を調製した。 【０３９５】 （実施例４） 化合物（Ｂ）に代えて、下記化合物（Ｇ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤を調製した。 ・化合物（Ｇ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２８ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ 【０３９６】 （実施例５） 化合物（Ｂ）に代えて、化合物（Ｈ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤を調製した。 ・化合物（Ｈ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ[ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ 【０３９７】 （実施例６） 化合物（Ｂ）に代えて、化合物（Ｉ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤を調製した。 ・化合物（Ｉ） ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ[ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ]２２ＣＦ（ＣＦ３）Ｃ［ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 【０３９８】 （比較例１〜２） 化合物（Ｂ）に代えて、下記対照化合物１または２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理剤をそれぞれ調製した。 ・対照化合物１ ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）３０ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ ・対照化合物２ ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）２２（ＣＦ２Ｏ）２３ＣＦ２ＣＯＮＨＣＨ２Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ 【０３９９】 ＜評価＞ 実施例１〜６および比較例１、２で調製した表面処理剤を、それぞれ化学強化ガラス（コーニング社製、「ゴリラ」ガラス、厚さ０．７ｍｍ）上に真空蒸着した。真空蒸着の処理条件は、圧力３．０×１０−３Ｐａとし、化学強化ガラス表面に５ｎｍの二酸化ケイ素膜を形成し、続いて、化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤４ｍｇ（即ち、化合物（Ｂ）、化合物（Ｄ）、化合物（Ｆ）、化合物（Ｇ）、化合物（Ｈ）、化合物（Ｉ）または対照化合物１、２を０．８ｍｇ含有）を蒸着させた。次に、蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度１５０℃の雰囲気下で３０分静置させた後、室温まで放冷させ、表面処理層を形成した。 【０４００】 （撥水性の評価） 静的接触角の測定は、接触角測定装置（協和界面科学社製）を用いて行った。水の静的接触角の測定は、水２μＬを用いて実施した。結果を以下の表に示す。 【０４０１】 【表１】  【０４０２】 （耐ＵＶ性評価） 上記で形成された表面処理層について、ＵＶ照射前後の水の静的接触角をそれぞれ測定した。ＵＶ照射は、ＵＶＢ−３１３ランプ（Ｑ−Ｌａｂ社製、３１０ｎｍにおいて放射照度０．６３Ｗ／ｍ２）を用い、基材のブラックパネル温度は、６３度で、ランプと表面処理層との距離を５ｃｍとして行った。水の静的接触角の測定は、接触角測定装置（協和界面科学社製）を用いて、水２μＬにて実施した。 【０４０３】 まず、初期評価として、表面処理層形成後、ＵＶ照射前に水の静的接触角を測定した（ＵＶ照射時間０時間）。その後、所定の時間ＵＶを照射した後の表面処理層について、水の静的接触角をそれぞれ測定した。評価は、累積照射時間９６時間まで行った。結果を表２に示す。また、ＵＶ照射時間０時間の接触角の値に対する、ＵＶの積算照射時間９６時間後の接触角の値の比率（ＵＶの積算照射時間９６時間後の接触角の値／ＵＶ照射時間０時間の接触角の値）を、表３に示す。 【０４０４】 【表２】  【０４０５】 【表３】  【０４０６】 ・表面滑り性評価（動摩擦係数の測定） 上記で形成された、表面に表面処理層を有する基材について、表面性測定機（Ｌａｂｔｈｉｎｋ社製 ＦＰＴ−１）を用いて、摩擦子として紙を使用し、ＡＳＴＭ Ｄ４９１７に準拠して、動摩擦係数（−）を測定した。 具体的には、表面処理層を有する基材を水平に配置し、摩擦子である紙（２ｃｍ×２ｃｍ）を表面処理層の表面の露出上面に接触させ、その上に２００ｇｆの荷重を付与した。その後、荷重を加えた状態で、摩擦子である紙を２００ｍｍ／秒の速度で平行移動させて、動摩擦係数を測定した。結果を、以下の表に示す。 【０４０７】 【表４】  【０４０８】 上記のように、実施例１〜６の表面処理剤を用いることにより、動摩擦係数の高い表面処理層、即ち、表面における滑り性の抑制された表面処理層が得られた。」 イ．サポート要件の考え方 特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 ウ．本件発明１、１０、１４のサポート要件の検討 （ア）本件発明が解決しようとする課題 本件明細書の発明の詳細な説明の記載によると、本件発明が解決しようとする課題は、電子機器の表面における滑り性を抑制することにあると認められる（本ａの【０００４】）。 （イ）本件発明１、１０、１４が（ア）で示した課題を解決できると 認識できるか 本件訂正により、本件発明１、１０、１４における式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）で表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物は、いずれも、ＰＦＰＥが「式：−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数」である構造を含む化合物に限定された。 そして、本件明細書の実施例では、分岐構造を有するＰＦＰＥ（フルオロポリエーテル基）を具体化した−（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）−基を繰り返し単位とする実施例１〜６のＰＦＰＥ含有シラン化合物（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｉ）を含む表面処理剤（本ｃの【０３８６】〜【０３９７】、【０３９９】）と、分岐構造を有しないＰＦＰＥを具体化した−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−基（対象化合物１）、−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−基及び−（ＣＦ２Ｏ）−基（対象化合物２）を繰り返し単位とする比較例１〜２のＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む表面処理剤（本ｃの【０３９８】〜【０３９９】）の比較試験が行われているところ、耐ＵＶ性の評価結果（【表２】、【表３】）、表面滑り性の評価結果（【表４】）を見ると（本ｃの【０４００】〜【０４０７】）、いずれも、実施例１〜６のＰＦＰＥ含有シラン化合物による表面処理層の方が、比較例１〜２のＰＦＰＥ含有シラン化合物による表面処理層よりも優れた実験結果が得られており、「実施例１〜６の表面処理剤を用いることにより、動摩擦係数の高い表面処理層、即ち、表面における滑り性の抑制された表面処理層が得られた。」（同【０４０８】）と説明されている。 以上の本件明細書の記載を踏まえると、本件明細書の発明の詳細な説明には、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物が、滑り性の抑制された表面処理層を与えるのに対し、分岐構造を有しないＰＦＰＥ含有シラン化合物は滑り性の抑制効果を与えないことが、実験結果に基づき裏付けられているので、本件発明１、１０、１４の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物より形成される表面処理層が、ＰＦＰＥに分岐構造を有することにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できること、すなわち、上記の本件発明の課題を解決できることは当業者が推認し得たものと認められる。 なお、申立人は、特許異議申立書において、申立理由３（サポート要件違反）として、本件明細書の実施例において、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ２）、（Ｃ２）の化合物についてはその作用効果が全く確認されていない、式（Ｂ１）（Ｃ１）の化合物ではＰＦＰＥについて広範に規定されているところ、その作用効果が確認あるいは立証されているのはごく狭い部分であるとし、訂正前の本件発明１、１０、１４は、その発明の作用効果が具体的に確認され、あるいは立証されている範囲に比して広すぎる、と主張する。 しかし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ２）、（Ｃ２）の化合物と式（Ｂ１）（Ｃ１）の化合物は、重要な化学構造を共有しているので、上記の本件発明の課題を解決できることを当業者が推認し得ると認められるし、本件訂正により、訂正前の本件発明１、１０、１４のＰＦＰＥが限定され、滑り性の抑制効果を与えないと解される、分岐構造を有しないＰＦＰＥ含有シラン化合物が除かれたことから、本件発明１、１０、１４は、本件発明の作用効果が、確認あるいは立証されていると推認できる範囲に限定された。 よって、申立人の上記主張は、理由がない。 したがって、本件発明１、１０、１４は、本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき、当業者が、上記（ア）で示した課題を解決できると認識できる範囲のものといえる。 （ウ）甲６の記載が本件発明１、１０、１４のサポート要件の判断 を左右するか 甲６の【００５７】〜【００６１】には、実施例１〜５に記載された分岐鎖を含むフルオロオキシアルキレン基を有するフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー変性シランにより形成された硬化被膜の動摩擦係数が、それぞれ、０．０４、０．０４、０．０５、０．０５、０．０４であることが示されており、これらの数値は、本件明細書の【表４】に記載された実施例１〜６の動摩擦係数よりも一桁小さく、比較例１、２とほぼ同じレベルの動摩擦係数であることが理解できる（本ｃの【０４０７】）。 しかし、甲６の実施例１〜５に記載されたフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー変性シランは、下記のとおり、分岐鎖のフルオロオキシプロピレン基に加え、相当程度の割合で直鎖のフルオロオキシエチレン基を含むものであるから、ＰＦＰＥが「式：−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され；上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数」である構造を分子中に含む本件発明１、１０、１４の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物とは、化学構造が大きく異なるものである。      したがって、甲６の実施例１〜５に記載されたフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー変性シランの動摩擦係数が低い数値であったとしても、本件発明１、１０、１４の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物に、動摩擦係数が低い化合物が含まれることは直ちに推認できないので、甲６の上記記載が、上記（イ）で示した本件発明１、１０、１４のサポート要件の判断を左右するものとはいえない。 エ．小括 以上のとおり、本件発明１、１０、１４及びこれらを直接又は間接的に引用する本件発明２〜４、６〜９、１１〜１３、１５〜１７、１９〜２２は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものと認められるので、取消理由通知書に記載した取消理由１及び４（いずれもサポート要件違反）は理由がない。 （２）取消理由５（明確性要件違反） 本件訂正により、本件発明１、１０に記載されたＰＦＰＥが、「式：−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され；上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数」である構造のものに統一されたため、本件発明１３に記載されているＰＦＰＥが、その下位概念の構造に当たる「−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下の整数）で表される基」であることが明確となり、本件発明１、１０の記載と本件発明１３の記載が技術的に整合するものとなった。 したがって、本件発明１３は明確であり、本件発明１３に係る特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしているため、取消理由通知書に記載した取消理由５（明確性要件違反）は理由がない。 （３）取消理由２（新規性の欠如）及び取消理由３（進歩性の欠如） の検討 ア．甲１を主引例とした新規性、進歩性の検討 （ア）甲１に記載された事項 甲１ａ 「（Ａ）下記式（１）又は（２）で表される含フッ素有機ケイ素化合物の少なくとも一種 Ｒｆ１−ＱＺ１Ａα （１） ＡαＺ１Ｑ−Ｒｆ２−（Ｑ−Ｚ２−Ｑ−Ｒｆ２）ｘ−ＱＺ１Ａα （２） ［式中、Ｒｆ１はパーフルオロアルキル基、またはパーフルオロオキシアルキル基、Ｒｆ２はパーフルオロオキシアルキレン基、 Ｚ１は単結合又はケイ素原子１〜１５個を含む２〜９価の有機基、Ｚ２はケイ素原子２〜１００個を含む２価のポリオルガノシロキシレン基であり、 Ｑは酸素原子及び／又は窒素原子を含んでいてよい炭素数２〜１２の、２〜９価の基であり、但し式（２）において、互いに異なっていてもよく、 αは１〜８の整数、ｘは０〜５の整数であり、及び、Ａは下記一般式で示される基である ＣｂＨ２ｂＳｉＲ３−ａＸａ （式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基、Ｘは加水分解性基であり、ａは２又は３、ｂは０〜６の整数である）］、及び （Ｂ）数平均分子量が１００〜１０，０００の、分子重量の２５重量％以上のフッ素原子を含む含フッ素カルボン酸を、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．００１〜１０質量部で、 含有することを特徴とするコーティング剤組成物。」 甲１ｂ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、短時間で硬化し、撥水性、撥油性、汚れ防止性に優れた硬化皮膜を得ることができ、種々の基材表面に防汚性を付与するコーティング剤組成物を提供する。 【背景技術】 【０００２】 メガネレンズ、サングラス、携帯電話、電子手帳、音楽プレーヤーなどの携帯用電子機器、及び液晶ディスプレー、ＣＲＴディスプレー、プラズマディスプレー、ＥＬディスプレー等の各種表示素子の表面、またはＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）などの光記録媒体、窓ガラス、などは指紋、皮脂、汗、化粧品、食品等の汚れの付着を防ぐために防汚コーティングが施されていることが多い。… 【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 そこで、本発明は、簡易な工程で、速やかに硬化被膜を形成することができるコーティング剤組成物を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００９】 上記要望に応えるべく検討した結果、硬化触媒として所定のカルボン酸を使用することによって、上記目的を達成できることを見出した。」 甲１ｃ 「【００５４】 ［実施例及び比較例］ 表１に示す含フッ素有機ケイ素化合物及びカルボン酸を、同表に示す濃度で、Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２００（住友３Ｍ社製、フッ素系溶媒）中で混合して溶解し、コーティング剤溶液を調製した。試験片としてスライドガラスをこの溶液に浸漬したのち、引き上げて２５℃、相対湿度５０％の室内に放置した。コーティング剤を塗布してから３０分後にスライドグラス表面の水の接触角を、接触角計（協和界面科学社製Ａ３型）を用いて、滑落法により測定した。結果を表１に示す。 【００５５】 表１中のＡ−１〜Ａ−７は以下の含フッ素有機ケイ素化合物である。 （Ａ−１） 【００５６】 【化１９】 … （Ａ−７） 【００６８】 【化３１】  … （Ｂ−２） 【００７２】 【化３４】  … （Ｂ−４） 【００７４】 【化３６】  … 【００７７】 【表１】  表１から分かるように、Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４を硬化触媒として用いた場合は、水の接触角が高い硬化膜が得られ、コーティング剤塗布後３０分の放置にて十分に硬化したことが分かる。しかしＢ−５、Ｂ−６の場合は、水の接触角が低いことから分かるように、３０分では十分に硬化しなかった。」 （イ）甲１に記載された発明 甲１の記載事項のうち、特に実施例１、９のコーティング剤溶液を硬化して得られる硬化膜（塗布層）（甲１ｃ）に着目すると、甲１には、それぞれ、以下の発明が記載されていると認められる。 「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−１）及びカルボン酸（Ｂ−２）を、それぞれ０．３％、３０ｐｐｍの濃度で、Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２００（住友３Ｍ社製、フッ素系溶媒）中で混合して溶解し、コーティング剤溶液を調製し、試験片としてスライドガラスをこの溶液に浸漬したのち、引き上げて２５℃、相対湿度５０％の室内に放置して得られた、コーティング剤の塗布層」（以下、「甲１発明１」という。） 「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−７）及びカルボン酸（Ｂ−４）を、それぞれ０．３％、１００ｐｐｍの濃度で、Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２００（住友３Ｍ社製、フッ素系溶媒）中で混合して溶解し、コーティング剤溶液を調製し、試験片としてスライドガラスをこの溶液に浸漬したのち、引き上げて２５℃、相対湿度５０％の室内に放置して得られた、コーティング剤の塗布層」（以下、「甲１発明２」という。） （ウ）本件発明１と甲１発明１との対比、検討 甲１発明１の「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−１）」の左端の「ＰＦＰＥ１−」は−（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）−基という分岐構造の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６を含むものであるから、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」における「Ｒｆ−ＰＦＰＥ−」、「β’＝１」に相当する。 甲１発明１の「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−１）」の右端の「−Ｓｉ（ＯＳｉ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）３」は、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」における、上記化合物の「β＝１」「ｋ１」が３、「ｌ１」および「ｍ１」が０、「Ｒａ」が「−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１」であって、この中の「Ｚ３」が「−ＣＨ２ＣＨ２−」である２価の有機基、「Ｒ７２」が加水分解可能な基、「ｑ１」が３、「ｐ１」及び「ｒ１」が０である「ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１」に相当する。 甲１発明１の「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−１）」の上記両端を結ぶ構造である「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」と、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」におけるＸ３は、２価の基である限りにおいて一致している。 また、甲１発明１における「コーティング剤の塗布層」は、本件発明１における「表面処理層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１発明１は、 「少なくとも表面の一部に、「（Ｒｆ−ＰＦＰＥ−）β’」及び「（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）β」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）が２価の基で結合したフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層」で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点１＞ 上記部分構造を連結する２価の基として、 本件発明１では、 Ｘ３として示される「−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−」 ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］を採用しているのに対して、 甲１発明１では、「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」を採用している点 ＜相違点２＞ 表面処理層を有する基材として、本件発明１では、「電子機器」を採用しているのに対して、甲１発明１は、基材を特定していない点 相違点１について検討する。 本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」の二価の基であるＸ３は、Ｓｉ原子を含まないものであるから、甲１発明１の「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」を含まないことは明らかである。 そして、甲１には、「含フッ素有機ケイ素化合物」として、（Ａ−１）以外に、（Ａ−２）〜（Ａ−７）が具体例として挙げられ、これらは「ＰＦＰＥ１−」と加水分解性シリル基（Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）を含む点では構造上の共通点を有するものの、その余の化学構造は大きく異なっているので、（Ａ−２）〜（Ａ−７）の構造より、甲１発明１の特に「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」の構造だけに着目して、Ｓｉ原子を含まない２価の基に改変することを、当業者が動機付けられるとはいえない。 また、甲１の特許請求の範囲を見ても、二価の基に対応するＺ１、Ｑとして、「Ｚ１は単結合又はケイ素原子１〜１５個を含む２〜９価の有機基」、「Ｑは酸素原子及び／又は窒素原子を含んでいてよい炭素数２〜１２の、２〜９価の基」という広範な定義が示されるに止まるから、甲１発明１の特に「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」の構造だけに着目して、Ｓｉ原子を含まない２価の基に改変することを、当業者が容易に動機付けられるとはいえない。 更に、本件明細書の発明の詳細な説明によると、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるが（１（１）ウ（イ））、甲１には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 そうすると、相違点１として挙げた本件発明１の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められないので、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明１に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）本件発明１と甲１発明２との対比、検討 甲１発明２の「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−７）」の左端にある「ＰＦＰＥ１」は、その左末端に「Ｆ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＦ２」を有し、「ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＦ２Ｏ」単位という分岐構造の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６を平均２４個有するパーフルオロオキシアルキレン基であるから、本件発明１の式（Ａ１）で表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物の「α’」が１である「Ｒｆ−ＰＦＰＥ）α’」に相当する。 甲１発明２の「含フッ素有機ケイ素化合物（Ａ−７）」の下に向いている「Ｓｉ（ＯＣＨ３）３」は、本件発明１の式（Ａ１）で表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物の「Ｘ２」が単結合、「ｎ」が３、「Ｒ１３」が加水分解可能な基である「−Ｘ２−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ」に相当する。 そして、甲１発明２の含フッ素有機ケイ素化合物の「ＰＦＰＥ１」と「Ｓｉ（ＯＣＨ３）３」を結合する「−ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２−ＣＨ）ａ−（ａ＝１．４（平均値））」と、本件発明１の上記化合物の「Ｒｆ−ＰＦＰＥ）α’」及び「−Ｘ２−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ」を除いた構造は、２価の基である限りにおいて一致している。 また、甲１発明２における「コーティング剤の塗布層」は、本件発明１における「表面処理層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１発明２は、 「少なくとも表面の一部に、「Ｒｆ−ＰＦＰＥ）α’」及び「−Ｘ２−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）が２価の基で結合したフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層」で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点３＞ 上記構造を連結する二価の基として、 本件発明１では、 「−Ｘ１−（（ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２））ｔ−Ｒ１１）α」（Ｘ１は２〜１０価の有機基、αは１〜９の整数、Ｒ１１は水素原子またはハロゲン原子、Ｒ１２は水素原子または低級アルキル基、ｔは２〜１０の整数）を採用しているのに対して、 甲１発明２では、「−ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２−ＣＨ）ａ−（ａ＝１．４（平均値））」を採用している点 ＜相違点４＞ 表面処理層を有する基材として、本件発明１では、「電子機器」を採用しているのに対して、甲１発明２では、基材を特定していない点 相違点３について検討する。 甲１発明２は、「−ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２−ＣＨ）ａ−（ａ＝１．４（平均値））」の各々の「ＣＨ」に「Ｓｉ（ＯＣＨ３）３」が結合したものであるため、甲１発明２は、「ＰＦＰＥ１」と「−ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２−ＣＨ）ａ−（ａ＝１．４（平均値））」が直接結合しており、本件発明１の「２〜１０価の有機基」である「Ｘ１」に相当する構造を含まないものと認められる。 そして、甲１の（Ａ−１）〜（Ａ−６）の構造又は甲１の特許請求の範囲より、甲１発明２の特に「−ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２−ＣＨ）ａ−（ａ＝１．４（平均値））」の構造だけに着目して、本件発明１の「−Ｘ１−（（ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２））ｔ−Ｒ１１）α」で定義される２価の基に改変することを、当業者が容易に動機付けられるとはいえないことは、甲１発明１の場合と同様である。 更に、本件明細書の発明の詳細な説明によると、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるが（１（１）ウ（イ））、甲１には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 そうすると、相違点３として挙げた本件発明の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められないので、相違点４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明２に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （オ）申立人の主張 申立人は、令和３年６月１７日付けの意見書において、甲１化合物（Ａ−１）において、ＰＦＰＥ部分と加水分解性基との連結部分−ＱＺ１−について単なるリンカーとして、甲１の段落「００２５］〜［００２８］に例示されるようなシロキサン結合を含まない２価の基を採用することは容易である」と主張する。 しかし、上記の（ウ）で示したように、甲１の特許請求の範囲には、二価の基に対応するＱ、Ｚ１として、「Ｚ１は単結合又はケイ素原子１〜１５個を含む２〜９価の有機基」、「Ｑは酸素原子及び／又は窒素原子を含んでいてよい炭素数２〜１２の、２〜９価の基」という広範な定義が示されており、それらを具体化した（Ａ−１）〜（Ａ−７）を見ても、二価の基の化学構造は各々で大きく異なっているから、甲１発明１の特に「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−」の構造だけに着目して、Ｓｉ原子を含まない２価の基に改変することを、当業者が容易に動機付けられるとはいえない。 しかも、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるところ（１（１）ウ（イ））、甲１には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 そうすると、申立人の上記主張は理由がなく、いずれにしても、相違点１として挙げた本件発明１の発明特定事項を想到することが当業者に容易であったとは認められない。 （カ）甲１を主引例とした新規性、進歩性の検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１は、甲１発明１及び甲１発明２、すなわち甲１に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明１０、１４と甲１発明１及び甲１発明２は、上記（ウ）(エ）で述べた本件発明１と同じ相違点１〜４を有するので、本件発明１と同様の理由により、甲１に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明１、１０、１４を直接又は間接的に引用する本件発明２〜４、６〜９、１１〜１３、１５〜１７、１９〜２２についても、本件発明１と同様の理由により、甲１に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ．甲２を主引例とした新規性、進歩性の検討 （ア）甲２に記載された事項 甲２ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、フッ素含有オルガノポリシロキサンに関し、詳細には、基材との密着性に優れ、耐擦傷性に優れた撥水撥油性の層を形成するフッ素含有オルガノポリシロキサン及びそれを含む表面処理剤に関する。 【背景技術】 【０００２】 一般に、パーフロロポリエーテル基含有化合物は、その表面自由エネルギーが非常に小さいために、撥水撥油性、耐薬品性、潤滑性、離型性、防汚性などを有する。その性質を利用して、興行的には紙・繊維などの撥水撥油防汚剤、磁気記録媒体の滑剤、精密機器の防油剤、離型剤、化粧料、保護膜など、幅広く利用されている。 … 【発明が解決しようとする課題】 【００２２】 そこで、本発明は、基材によく密着し、耐擦傷性に優れた撥水撥油性の層を形成する化合物及びそれを含む表面処理剤を提供することを目的とする。【課題を解決するための手段】 【００２３】 発明者は、下記一般式で示されるポリシロキサン骨格に、フッ素含有基及び加水分解性基を備えたオルガノポリシロキサンが、耐擦傷性に優れた撥水撥油性の層を形成することを見出した。」 甲２ｂ 「【００５８】 実施例１ … 以上の結果から、得られた化合物の構造式は 【００６５】 【化１７】  であることがわかった。 … 【００９２】 表面処理剤の調製 化合物１〜６の各々を、０．１ｗｔ％濃度になるように、エチルパーフロロブチルエーテル（ＨＦＥ７２００、住友３Ｍ社製）に溶解して、表面処理剤１〜６を調製した。反射防止フイルム（８×１５×０．２ｃｍ、Ｓｏｕｔｈｗａｌｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を処理剤に１０秒間浸漬後１５０ｍｍ／分の速度で引き上げ、２５℃、湿度４０％の雰囲気下で２４時間放置し、硬化皮膜を形成させた。 … 【００９６】 【表１】  【００９７】 実施例の化合物を夫々含む表面処理剤で処理された紙は、比較例の化合物を含む表面処理剤で処理された紙に比較して顕著に耐擦傷性が優れる。また、撥水撥油性についても、比較例に劣らない。」 （イ）甲２に記載された発明 甲２の記載事項のうち、特に、実施例１、【００９２】及び【００９６】（甲２ｂ）に着目すると、甲２には、以下の発明が記載されていると認められる。 「化合物１を、０．１ｗｔ％濃度になるように、エチルパーフロロブチルエーテル（ＨＦＥ７２００、住友３Ｍ社製）に溶解して、表面処理剤１を調製し、反射防止フイルム（８×１５×０．２ｃｍ、Ｓｏｕｔｈｗａｌｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を処理剤に１０秒間浸漬後１５０ｍｍ／分の速度で引き上げ、２５℃、湿度４０％の雰囲気下で２４時間放置して形成させた、硬化皮膜」（以下、「甲２発明」という。） （ウ）本件発明１と甲２発明との対比、検討 甲２発明の化合物１の左端の「Ｒｆ」は、−（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）−基という分岐構造の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６を含むものであるから、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」における「Ｒｆ−ＰＦＰＥ−」、「β’＝１」に相当する。 甲２発明の化合物１の右端の「−Ｓｉ（ＯＳｉ（Ｍｅ）２Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３）３」は、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」における、上記化合物の「β＝１」「ｋ１」が３、「ｌ１」および「ｍ１」が０、「Ｒａ」が「−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１」であって、この中の「Ｚ３」が「−ＣＨ２ＣＨ２−」である２価の有機基、「Ｒ７２」が加水分解可能な基、「ｑ１」が３、「ｐ１」及び「ｒ１」が０である「ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１」に相当する。 甲２発明の化合物１の上記両端を結ぶ構造である「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｏ−」と、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」におけるＸ３は、２価の基である限りにおいて一致している。 また、甲２発明における「硬化皮膜」は、本件発明１における「表面処理層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲２発明は、 「少なくとも表面の一部に、「（Ｒｆ−ＰＦＰＥ−）β’」及び「（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）β」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）が２価の基で結合したフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層」で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点５＞ 上記部分構造を連結する二価の基として、 本件発明１では、 Ｘ３として示される「−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−」 ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］を採用しているのに対して、 甲２発明では、「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｏ−」を採用している点 ＜相違点６＞ 表面処理層を有する基材として、本件発明１では、「電子機器」を採用しているのに対して、甲２発明では、基材を特定していない点 相違点５について検討する。 本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」の２価の基であるＸ３は、Ｓｉ原子を含まないものなので、甲１発明１の「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｏ−」を含まないことは明らかである。 また、甲２には、甲２発明の特に「−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ３Ｈ６−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｏ−」の構造だけに着目して、Ｓｉ原子を含まない２価の基に改変することを、当業者に動機付けるような記載や示唆は何ら見当たらない。 更に、本件明細書の発明の詳細な説明によると、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるが（１（１）ウ（イ））、甲２には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 したがって、相違点５として挙げた本件発明の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められないので、相違点６について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）甲２を主引例とした新規性、進歩性の検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１は、甲２発明、すなわち甲２に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明１０、１４と甲２発明は、上記（ウ）で述べた本件発明１と同じ相違点５〜６を有するから、本件発明１と同様の理由により、甲２に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明１、１０、１４を直接又は間接的に引用する本件発明２〜４、６〜９、１１〜１３、１５〜１７、１９〜２２についても、本件発明１と同様の理由により、甲２に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ．甲３を主引例とした新規性、進歩性の検討 （ア）甲３に記載された事項 甲３ａ 「【請求項１】下記一般式（１）： Ｆ（ＣｘＦ２ｘＯ）ｍＣｙＦ２ｙ−Ｑ−Ｚ （１） 〔式中、Ｑは２価の有機基であり、Ｚは下記一般式（２）： 【化１】  （式中、Ａは加水分解性基であり、Ｒ１及びＲ２は独立に１価の有機基であり、ａ及びｂはそれぞれ２又は３の整数である。）で表わされる１価の基であり、ｍは６〜５０の整数であり、ｘ及びｙはそれぞれ１〜３の整数である。〕で表されるパーフルオロポリエーテル変性シラン。 … 【請求項４】一般式（１）におけるＱが、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる１種又は２種以上を含有していてもよい置換又は非置換の２価炭化水素基である請求項１に記載のパーフルオロポリエーテル変性シラン。 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載のパーフルオロポリエーテル変性シラン及びその加水分解縮合物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する表面処理剤。 【請求項６】請求項５に記載の表面処理剤から得られる硬化被膜。」 甲３ｂ 「【０００２】 【従来の技術】一般にパーフルオロポリエーテル基含有化合物は、その表面エネルギーが非常に小さいので、撥水撥油性、耐薬品性、潤滑性、離型性、防汚性等の性質を有する。その性質を利用して、工業的には紙や繊維等の撥水撥油防汚剤、磁気記録媒体の滑剤、精密機器の防油剤、離型剤、化粧料、保護膜等幅広く利用されている。 … 【００１５】 【発明が解決しようとする課題】このような状況に鑑み、本発明の課題は、被膜形成性が良好で、同時に撥水撥油性、離型性、防汚性等がより優れた硬化被膜を形成することができるパーフルオロポリエーテル変性シラン及びそれを利用する表面処理剤を提供することにある。 【００１６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記要望に応えるため鋭意検討を行った結果、下記一般式（１）で示される新規なパーフルオロポリエーテル変性シランにより上記課題を解決することができることを見出し、本発明をなすに至った。」 甲３ｃ 「【００２４】上記式中、Ｑは２価の有機基であり、特には、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子及び硫黄原子から選ばれる１種又は２種以上を含有していてもよい置換又は非置換の２価炭化水素基である。この２価炭化水素基としては炭素原子数２〜２０のものが好ましい。 … 【００２６】このように酸素原子、窒素原子、ケイ素原子、硫黄原子を含有している場合の２価炭化水素基の具体例としては、下記のものが挙げられる。なお、下記式でＭｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基である。−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２− 、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２− … 【００２７】 【化８】  」 甲３ｄ 「【００５３】実施例１ … 以上の結果から、得られた化合物の構造式は 【００５６】 【化１６】 であることがわかった。 【００５７】［パーフルオロポリエーテル変性シランの評価］前記のようにして合成したパーフルオロポリエーテル変性シラン３．０ｇをノナフロロブチルエチルエーテル（商品名ＨＦＥ−７２００：３Ｍ社製）９７．０ｇに溶解し、ガラス板（２．５×１０×０．５ｃｍ）に刷毛塗りで塗布した。２５℃、湿度７０％の雰囲気下で１時間放置し、硬化被膜を形成させた。この試料片を用いて、下記（１）〜（３）の評価を行った。 … 【００７２】 【表１】 【００７３】実施例１及び実施例２のパーフルオロポリエーテル変性シランは、加水分解性(被膜形成性)に優れており、得られる硬化被膜は、いずれも従来品(比較例２)と同等もしくはそれ以上の撥水撥油性及び離型性を有し、かつ、耐久性に優れている。また、比較例１では、実施例と比べて撥水撥油性、離型性に劣っており実用に供し得ない。したがって、実施例１及び実施例２のパーフルオロポリエーテル変性シランは、表面処理剤として有効に利用可能である。」 （イ）甲３に記載された発明 甲３の記載事項のうち、特に、実施例１（甲３ｂ）に着目すると、甲３には、以下の発明が記載されていると認められる。 「【化１６】で示されるパーフルオロポリエーテル変性シラン３．０ｇをノナフロロブチルエチルエーテル（商品名ＨＦＥ−７２００：３Ｍ社製）９７．０ｇに溶解し、ガラス板（２．５×１０×０．５ｃｍ）に刷毛塗りで塗布し、２５℃、湿度７０％の雰囲気下で１時間放置して形成させた、硬化被膜」（以下、「甲３発明」という。） （ウ）本件発明１と甲３発明との対比、検討 甲３発明のパーフルオロポリエーテル変性シランの左端の「Ｆ（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ）２４−」は、左末端に「Ｆ（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２」を有し、「−（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ−」、すなわち「−ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）Ｆ−」という分岐構造の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６を含むものであるから、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」における「Ｒｆ−ＰＦＰＥ−」、「β’＝１」に相当する。 甲３発明のパーフルオロポリエーテル変性シランの右末端にある「Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３」（当審注：（ＯＣＨ３）が１つであることは構造上あり得ないので添字の３が漏れていると判断した。）は、本件発明１の上記化合物の「ｋ１」が３、「ｌ１」および「ｍ１」が０、「Ｒａ」が「−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１」であって、この中の「Ｚ３」が「−ＣＨ２ＣＨ２−」である２価の有機基、「Ｒ７２」が加水分解可能な基、「ｑ１」が３、「ｐ１」及び「ｒ１」が０である「ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１」に相当する。 甲３発明のパーフルオロポリエーテル変性シランにおける「Ｆ（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ）２４−」と「Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３」を連結している構造と、本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」におけるＸ３は、２価の基である限りにおいて一致している。 甲３発明における「硬化皮膜」は、表面処理剤を硬化した皮膜であるから、本件発明１における「表面処理層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲３発明は、 「少なくとも表面の一部に、「（Ｒｆ−ＰＦＰＥ−）β’」及び「（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）β」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）が２価の基で結合したフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層」で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点７＞ 上記部分構造を連結する二価の基として、 本件発明１では、 Ｘ３として示される「−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−」 ［式中； Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基、を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］を採用しているのに対して、 甲３発明では、下記の構造を採用している点  ＜相違点８＞ 表面処理層を有する基材として、本件発明１では、「電子機器」を採用しているのに対して、甲３発明では、基材を特定していない点 相違点７について検討する。 本件発明１の「式（Ｂ１）で表される化合物」の２価の基であるＸ３は、Ｓｉ原子を含まないものであるから、甲３発明の上記構造を含まないものであることは明らかである。 また、甲３には、実施例１、２の２つのパーフルオロポリエーテル変性シランが具体的に記載されているものの、それ以外のパーフルオロポリエーテル変性シランは、請求項１等に一般式（１）として包括的に記載されるに過ぎず（甲３ａ）、一般式（１）に含まれるＱも、【００２４】〜【００３０】において多種多様な化学構造の二価の基が採用可能なものとして例示されるに止まるものである（甲３ｃ）。 そうすると、甲３発明のフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物において、上記の相違点７に挙げた部分構造だけに着目し、Ｓｉ原子を含まない２価の基に改変することを、当業者が動機付けられたとは認められない。 更に、本件明細書の発明の詳細な説明によると、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるが（１（１）ウ（イ））、甲３には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 したがって、相違点７として挙げた本件発明１の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められないので、相違点８について検討するまでもなく、本件発明１は、甲３発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）甲３を主引例とした新規性、進歩性の検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１は、甲３発明、すなわち甲３に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明１０、１４と甲３発明は、上記（ウ）で述べた本件発明１と同じ相違点７〜８を有するから、本件発明１と同様の理由により、甲３に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明１、１０、１４を直接又は間接的に引用する本件発明２〜４、６〜９、１１〜１３、１５〜１７、１９〜２２についても、本件発明１と同様の理由により、甲３に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ．甲４を主引例とした新規性、進歩性の検討 （ア）甲４に記載された事項 甲４ａ 「【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒｆは１価のフルオロオキシアルキル基又は２価のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー残基であり、Ｙは２〜６価の炭化水素基であって、ケイ素原子及び／又はシロキサン結合を有してもよく、Ｗは２〜６価の炭化水素基であって、ケイ素原子及び／又はシロキサン結合を有してもよく、Ｒは独立に炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基であり、Ｘは独立に水酸基又は加水分解性基であり、ｎは１〜３の整数であり、ａは１〜５の整数であり、ｍは１〜５の整数であり、αは１又は２である。）で表されるフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン。 【請求項２】 前記式（１）のαが１であり、Ｒｆ基が下記一般式（２）で表される基であることを特徴とする請求項１記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン。 【化２】 （式中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓはそれぞれ０〜２００の整数で、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝３〜２００であり、各繰り返し単位は直鎖状でも分岐状であってもよく、各繰り返し単位同士はランダムに結合されていてよく、ｄは１〜３の整数であり、該単位は直鎖状でも分岐状であってもよい。）」 甲４ｂ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランに関し、詳細には、撥水撥油性、耐摩耗性に優れた被膜を形成するフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、及び該シラン及び／又はその部分（加水分解）縮合物を含む表面処理剤、並びに該表面処理剤で表面処理された物品に関する。 … 【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、撥水撥油性、耐摩耗性に優れた硬化被膜を形成することができるフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、及び該シラン及び／又はその部分（加水分解）縮合物を含む表面処理剤、並びに該表面処理剤で表面処理された物品を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００９】 本発明者らは、上記目的を解決すべく鋭意検討した結果、上記フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランにおいて、後述する一般式（１）で表されるフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランを用いることにより、該シラン及び／又はその部分（加水分解）縮合物を含む表面処理剤が、撥水撥油性、耐摩耗性に優れた硬化被膜を形成し得ることを見出し、本発明をなすに至った。」 甲４ｃ 「【０１３１】 ［実施例５］ … 【０１３４】 得られた化合物は、ＮＭＲにより下記式（Ｚ）で表される構造であることが確認された。 【化７１】 … 【０１４４】 表面処理剤の調製及び硬化被膜の形成 実施例１〜６で得られたフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン及び比較例１〜３のポリマーを、濃度０．１質量％になるようにＮｏｖｅｃ ７２００（３Ｍ社製、エチルパーフルオロブチルエーテル）に溶解させて表面処理剤を調製した。ガラス（コーニング社製 ＧｏｒｉｌｌａＩＩＩ）に、各表面処理剤を８．５×１０−３ｇ／ｍ２の塗工量でスプレー塗工し（処理条件は、運転速度：３６０ｍｍ／秒、送りピッチ：１２ｍｍ）、２５℃、湿度４０％の雰囲気下で２４時間硬化させて膜厚８ｎｍの硬化被膜を形成した。 … 【０１４７】 【表１】  」 （イ）甲４に記載された発明 甲４の記載のうち、特に、実施例５及び【０１４４】に着目すると、甲４には、以下の発明が記載されていると認められる。 「実施例５で得られた式（Ｚ）で表されるフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランを、濃度０．１質量％になるようにＮｏｖｅｃ ７２００（３Ｍ社製、エチルパーフルオロブチルエーテル）に溶解させて表面処理剤を調製し、ガラス（コーニング社製 ＧｏｒｉｌｌａIII）に、表面処理剤を８．５×１０-3ｇ／ｍ2の塗工量でスプレー塗工し（処理条件は、運転速度：３６０ｍｍ／秒、送りピッチ：１２ｍｍ）、２５℃、湿度４０％の雰囲気下で２４時間硬化させて形成した、膜厚８ｎｍの硬化被膜」（以下、「甲４発明」という。） （ウ）本件発明１と甲４発明との対比、検討 甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランの左端の「ＣＦ３Ｏ−（ＣＦ２Ｏ）ｐ１−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｑ１−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ）３．９−Ｃ（ＣＦ３）Ｆ−（ｐ１：ｑ１＝４７：５３、ｐ１＋ｑ１≒４３）」における「Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ」は、本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」における「分岐構造」を有する「繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６」に相当するから、甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランと本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」は、左端に「分岐構造」を有する「繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６」を含む限りにおいて一致する。 甲４発明の右端の「−Ｃ（Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）２」は、本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」の「γ」が１、「ｌ２」が３、「ｋ２」および「ｍ２」が０、「Ｒｅ」が「−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２」であって、この中の「Ｙ」が「−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−」である２価の有機基、「Ｒ８５」が加水分解可能な基、「ｎ２」が３である「ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２」に相当する。 本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」における「Ｘ５」は単結合等が可能であるから、甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランの左端及び右端を除く構造と本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」の「Ｘ５」で相違点は存しない。 また、甲４発明における「硬化被膜」は、表面処理剤を硬化した皮膜であるから、本件発明１における「表面処理層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲４発明は、 「少なくとも表面の一部に、「分岐構造」を有する「繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６」が「Ｘ５−（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）γ」（いずれの式も式中の記号の説明は省略する。）に結合したフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層」で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点９＞ 本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」では、左端の構造が、 「ＰＦＰＥ」（フルオロ（ポリ）エーテル基）であり、「式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数」であるのに対して、 甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランでは、左端の構造が、 「ＣＦ３Ｏ−（ＣＦ２Ｏ）ｐ１−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｑ１−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ）３．９−Ｃ（ＣＦ３）Ｆ−（ｐ１：ｑ１＝４７：５３、ｐ１＋ｑ１≒４３）」である点 ＜相違点１０＞ 表面処理層を有する基材として、本件発明１では、「電子機器」を採用しているのに対して、甲４発明では、基材を特定していない点 相違点９について検討する。 本件発明１の「式（Ｃ１）で表される化合物」における「ＰＦＰＥ」（フルオロ（ポリ）エーテル基）は、「−（ＯＣ３Ｆ６）−」以外のフルオロ（ポリ）エーテル基を有さないところ、甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランは、「Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ」以外に「ＣＦ２Ｏ」、「Ｃ２Ｆ４Ｏ」を含むものであるから、両化合物は左端の構造において大きく相違するものである。 また、甲４には、実施例５以外のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランは例示されているものの、「Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ」のみをフルオロポリエーテル基とする変性シランの例示は見当たらないし、「Ｃ（ＣＦ３）ＦＣＦ２Ｏ」を有さない変性シランも多数散見されるから、甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランにおいて、上記の相違点９に挙げた部分構造だけに着目し、「ＣＦ２Ｏ」、「Ｃ２Ｆ４Ｏ」を含まないフルオロポリエーテル基に改変することを、当業者が動機付けられるとは認められない。 更に、本件明細書の発明の詳細な説明によると、本件発明１は、分岐構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いることにより、電子機器の表面における滑り性を抑制できるという効果を奏するものであるが（１（１）ウ（イ））、甲４には、かかる効果について記載も示唆もされていない。 そうすると、相違点９として挙げた本件発明１の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められないので、相違点１０について検討するまでもなく、本件発明１は、甲４発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）申立人の主張 申立人は、令和３年１１月５日提出の意見書において、「甲第４号証の実施例に開示の化合物について、甲第７号証に示された適度なすべり性に調整する目的で、式中の「−（ＣＦ２Ｏ）ｐ１−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｑ１−構造」を例えば甲第５、６号証においてより動摩擦係数が高いことが示されている−（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）２４−のような分岐構造のＰＦＰＥに置き換えることによって本件特許発明の式（Ｃ１）の化合物とすることは当業者には極めて容易である」と主張する。 ここで、甲５の【００１１】には、「−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ（ＯＣＦ２）ｆＯ−を主鎖構造とするフルオロオキシアルキレン基含有ポリマーは動摩擦係数が低い」こと、【００８５】には、「分岐型のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマーを有する表面処理剤から形成された比較例８及び９の硬化被膜は動摩擦係数が非常に高く、かつ耐摩耗性に劣る。これに対し、実施例１〜６の表面処理剤は、撥水撥油性に優れ、動摩擦係数が小さく、且つ耐摩耗性に優れており、特に耐擦傷性に優れ、多数回スチールウールで擦っても膜の特性をほぼ維持することができる」ことの記載があり、甲６の【００６４】には、「また、末端基に分岐鎖パーフルオロポリエーテルを有する比較例２は耐熱性を有するものの滑り性に劣る」ことの記載がある。 しかし、甲５の比較例８及び９の化合物、並びに甲６の比較例２の化合物と、甲４の実施例５におけるフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランとは、化学構造を大きく異にするものである。 また、甲５によると、分岐構造を有するフルオロオキシアルキレン基（パーフルオロポリエーテル基）は、動摩擦係数が高く、滑り性に劣るという欠点に加え、耐摩耗性に劣るという欠点も備えたものであることが開示されている。 そうすると、甲４〜６の記載に接した当業者が、「耐摩耗性に優れた硬化被膜」の形成を発明の課題としている（甲４ｂの【０００８】）甲４発明のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シランにおいて、甲５、６に示されるような甲４発明の前記シランとは化学構造を大きく異にする化合物の部分構造に着目し、耐摩耗性を劣化させるような「分岐構造」を導入することを容易に想到し得るとは認められない。 そうすると、申立人の上記主張は理由がなく、甲５、６の記載を勘案しても、相違点９として挙げた本件発明１の発明特定事項を想到することが、当業者に容易であったとは認められない （オ）甲４を主引例とした新規性、進歩性の検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１は、甲４発明、すなわち甲４に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明１０、１４と甲４発明は、上記（ウ）で述べた本件発明１と同じ相違点９〜１０を有するから、本件発明１と同様の理由により、甲４に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明１、１０、１４を直接又は間接的に引用する本件発明２〜４、６〜９、１１〜１３、１５〜１７、１９〜２２についても、本件発明１と同様の理由により、甲４に記載された発明ではなく、また、この発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）当審で通知した取消理由の検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１〜４、６〜１７、１９〜２２に係る特許は、取消理由通知書に記載した取消理由１〜５により取り消すことはできない。 ２．取消理由通知書で採用しなかった申立理由の検討 申立人の申立理由のうち申立理由１（新規性の欠如）、申立理由２（進歩性の欠如）、申立理由３（サポート要件違反）は、当審が取消理由通知書で通知した取消理由２（新規性の欠如）、取消理由３（進歩性の欠如）、取消理由１及び取消理由４（いずれもサポート要件違反）に対応するものである。 また、申立理由４（明確性要件違反）は、甲６の記載によると、訂正前の本件発明１、１０、１４には、訂正前の本件発明の作用効果を奏さない化合物が含まれている、或いは、含まれている蓋然性が高いということを理由とするものであるが、かかる理由は、取消理由通知書の取消理由１（サポート要件違反）において採用されているところであり、上記の１（１）ウ（ウ）において実質的な判断が示されている。 そうすると、取消理由通知書で採用しなかった申立理由は存しない。 第６ むすび 以上のとおり、本件訂正については、適法であるから、これを認める。 本件特許の請求項５、１８、２３、２４に対する各特許異議の申立ては、不適法なものであるから、特許法第120条の8第1項で準用する同法第135条の規定により、却下すべきものである。 本件特許の請求項１〜４、６〜１７、１９〜２２に係る特許は、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１〜４、６〜１７、１９〜２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 別掲 |
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| 発明の名称 |
（５７）【特許請求の範囲】 【請求項１】 少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）：  ［式中： 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； 式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）において、ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式： −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中： Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数であり、 Ｘａは、−（Ｘｂ）１’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 １’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、０であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、３であり； ｌ１およびｍ１は、０であり； Ｘ５は、下記式： −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中： Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し； ｓ’は、１〜２０の整数であり； Ｘａは、−（Ｘｂ）１’−を表し； Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し； Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ１−６アルキル基またはＣ1−６アルコキシ基を表し； Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基を表し； Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり； ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり； ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数であり； ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり； ｌ’は、１〜１０の整数であり； ｐ’は、０または１であり； ｑ’は、０または１であり； ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］ で表される２価の基を表し； γおよびγ’は、１であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、１〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、０であり； ｌ２は、３であり； ｍ２は、０であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅ１２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオ口（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する、電子機器。 【請求項２】 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＳｉＲ１３が少なくとも２存在する、請求項１に記載の電子機器。 【請求項３】 式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２存在する、請求項１または２に記載の電子機器。 【請求項４】 式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が２以上存在する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項５】 （削除） 【請求項６】 Ｒ８３およびＲｆが、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項７】 前記電子機器が、充電式の電池により駆動し得る機器である、請求項１〜４および６のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項８】 前記電子機器が、携帯電話、またはスマートフォンである、請求項１〜４、６および７のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項９】 第１の主面と、該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、 前記第２の主面上に、前記表面処理層を有する、請求項７または８に記載の電子機器。 【請求項１０】 少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）：  ［式中： ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式： −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中： Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい− （ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数であり、 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 l’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し； Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１のｑ１が１〜３の整数であり； Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する電子機器であり、 前記電子機器が、充電台である、電子機器。 【請求項１１】 表面処理層を有する表面における水の接触角が、１００度以上であり、および、動摩擦係数が０．１〜０．５の範囲にある、請求項１〜４および６〜１０のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項１２】 前記水の接触角が、１１０度以上であり、および、動摩擦係数が０．１５〜０．３５の範囲にある、請求項１１に記載の電子機器。 【請求項１３】 ＰＦＰＥが、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下の整数）で表される基である、請求項１〜４および６〜１２のいずれか１項に記載の電子機器。 【請求項１４】 電子機器と充電台とを有するセット機器であって、 前記電子機器および前記充電台の少なくとも１が、少なくとも表面の一部に、以下の式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）または（Ｃ２）： 【化３】  ［式中： ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式： −（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−で表され； 上記式の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６が、少なくとも１つの分岐構造を有し、ｄが、１以上２００以下の整数であり； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１〜１６のアルキル基を表し； Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０価の有機基を表し； αは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり； α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜２２のアルキル基を表し； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数であり； ｎは、（−ＳｉＲ１３ｎＲ１４３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３以上の整数を表し； ただし、式（Ａ１）、および（Ａ２）において、少なくとも１つのｎが、１〜３の整数であり； Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または下記式： −（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’− ［式中： Ｒ３１は、単結合、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、 ｓ’は、１〜２０の整数であり、 Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、 Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−（ＯＲ３５）ｎ４−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｏ−ＣＯＮ（Ｒ３４）−、−Ｎ（Ｒ３４）−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、 Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基を表し、 Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１−６のアルキレン基であり、 ｎ４は、各出現において、それぞれ独立して、１〜５の整数であり、 ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数であり、 ｌ’は、１〜１０の整数であり、 ｐ’は、０または１であり、 ｑ’は、０または１であり、 ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］で表される２価の基を表し； βは、１であり； β’は、１であり； Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し： Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり； Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり； Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり； Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１のｑ１が１〜３の整数であり； Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し； γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり； Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し； Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し； Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し； Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり； Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり； Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し； Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し； Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し； ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し； Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり； Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し； Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または低級アルキル基を表し； ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり； ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が少なくとも１存在する。］ のいずれかで表されるフルオ口（ポリ）エーテル基含有シラン化合物より形成される表面処理層を有する、セット機器。 【請求項１５】 式（Ａ１）および（Ａ２）において、ＳｉＲ１３が少なくとも２存在する、請求項１４に記載のセット機器。 【請求項１６】 式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２存在する、請求項１４または１５に記載のセット機器。 【請求項１７】 式（Ｃ１）および（Ｃ２）において−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が２以上存在する、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項１８】 （削除） 【請求項１９】 Ｒ８３およびＲｆが、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基である、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項２０】 前記電子機器が、第１の主面と、該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、 前記充電台が、充電時に前記電子機器を配置する面を有し、 電子機器の前記第２の主面は、前記電子機器の充電時に、前記充電台の面と接触する面であり、 前記電子機器の第１の主面および第２の主面、および、前記充電台の面の少なくとも１つに、前記表面処理層が位置する、請求項１４〜１７および１９のいずれか１項に記載のセット機器。 【請求項２１】 前記電子機器の第２の主面、および、前記充電台の面の少なくとも１つに、前記表面処理層が位置する、請求項２０に記載のセット機器。 【請求項２２】 前記電子機器の第２の主面に、前記表面処理層が位置する、請求項２１に記載のセット機器。 【請求項２３】 （削除） 【請求項２４】 （削除） |
| 訂正の要旨 |
審決（決定）の【理由】欄参照。 |
| 異議決定日 | 2021-12-16 |
| 出願番号 | P2019-015684 |
| 審決分類 |
P
1
651・
537-
YAA
(C08G)
P 1 651・ 113- YAA (C08G) P 1 651・ 121- YAA (C08G) |
| 最終処分 | 07 維持 |
| 特許庁審判長 |
佐藤 健史 |
| 特許庁審判官 |
福井 悟 杉江 渉 |
| 登録日 | 2020-04-06 |
| 登録番号 | 6687139 |
| 権利者 | ダイキン工業株式会社 |
| 発明の名称 | 電子機器 |
| 代理人 | 澤内 千絵 |
| 代理人 | 澤内 千絵 |
| 代理人 | 山田 卓二 |
| 代理人 | 吉田 環 |
| 代理人 | 山田 卓二 |
| 代理人 | 吉田 環 |
