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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 2項進歩性 C04B 審判 全部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備 C04B |
|---|---|
| 管理番号 | 1386188 |
| 総通号数 | 7 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2022-07-29 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2022-03-04 |
| 確定日 | 2022-06-22 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 事件の表示 | 特許第６９３９９７３号発明「銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第６９３９９７３号の請求項１〜４に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 特許第６９３９９７３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜４に係る特許についての出願は、令和２年１１月２６日（優先権主張 令和１年１２月１９日）の出願であって、令和３年９月６日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２２日に特許掲載公報が発行され、その後、全請求項に係る特許に対して、令和４年３月４日に、特許異議申立人 青木 眞理（以下、「申立人」という。）により、甲第１〜３号証を証拠方法として特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明４」といい、これらを総称して「本件発明」ということがある。）は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 「【請求項１】 銅又は銅合金からなる銅部材と、ケイ素含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域においてバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さが１１０ｍｇｆ／μｍ２以上１５０ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされ、 前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１８０ｎｍ以下であることを特徴とする銅／セラミックス接合体。 【請求項２】 前記活性金属化合物層内に、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇが存在していることを特徴とする請求項１に記載の銅／セラミックス接合体。 【請求項３】 ケイ素含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、 前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域においてバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さが１１０ｍｇｆ／μｍ２以上１５０ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされ、 前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面においては、前記セラミックス基板側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１８０ｎｍ以下であることを特徴とする絶縁回路基板。 【請求項４】 前記活性金属化合物層内に、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇが存在していることを特徴とする請求項３に記載の絶縁回路基板。」 第３ 特許異議申立理由の概要 １ 特許法第36条第4項第1号所定の規定違反（実施可能要件違反）について （１）冷却速度について 本件特許明細書の段落【００３６】には、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」の製造方法における冷却速度について、「なお、この冷却工程Ｓ０３における冷却速度は、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。」と記載されているものの、段落【００６０】の【表２】の本発明例１１〜１８には冷却速度の記載がなく、本発明例１１〜１８がそれぞれどのような冷却速度で製造されたものであるのかが不明であるので、当業者は、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」を生産することができない。 そのため、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。 （２）「加熱温度における温度積分値」について 本件特許明細書の段落【００３５】には、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」の製造方法における温度積分値について、「また、この加熱工程Ｓ０２において、上述の加熱温度における温度積分値は、１℃・ｈ以上１１０℃・ｈ以下の範囲内とする。」と記載されているが、「加熱温度における温度積分値」は、一般的に使用される用語ではなく、加熱温度の最高到達温度における保持時間（℃・ｈ）や、一定の温度範囲内における保持時間（℃・ｈ）などと理解することができるが、いずれの意味であるのかが不明である。 これについて、甲第１号証の段落【００３１】には、「ここで、銅板接合工程Ｓ０２においては、Ｃｕ−Ｓｉ共晶温度（８０４℃）以上における温度と時間とを掛け合わして積算した温度積分値が１８０℃・ｍｉｎ以上３５００℃・ｍｉｎ以下の範囲内となるように、昇温速度、保持温度、保持時間、降温速度等が規定される。」と記載され、また、本件特許明細書の段落【００６０】【表２】の本発明例１１では、加熱温度８２５℃における温度積分値が１（℃・ｈ）となっている。 そして、温度積分値が、甲第１号証に記載されたように、温度と時間とを掛け合わして積算したものとすると、本発明例１１の加熱時間は０．００１時間（０．０６分）となるが、このような時間が加熱温度の最高到達温度における保持時間であるのか、一定の温度範囲内の保持時間であるのかが不明であり、更に本発明例１１では、加熱時間が０．０６分（＝３．６秒）という極めて短い時間で接合できていることになる。 また、特許権者は、本件特許出願の審査の過程で令和３年６月１７日に提出した意見書において、温度積分値について何ら主張していないから、当業者は、「加熱温度における温度積分値」の定義を理解することができないので、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」を生産することができない。 このため、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。 ２ 特許法第29条第2項所定の規定違反（進歩性欠如）について 本件発明１〜４は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて、または、甲第１号証に記載された発明及び甲第２〜３号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜４に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである。 ３ 証拠方法 甲第１号証：特開２０１８−８８６９号公報 甲第２号証：国際公開第２０１８／０２１４７２号 甲第３号証：特開平６−２４８５４号公報 第４ 特許異議申立理由についての当審の判断 １ 特許法第36条第4項第1号所定の規定違反（実施可能要件違反）について （１）実施可能要件の判断手法 物の発明における実施とは、物の生産、使用等の行為をいうから（特許法第2条第3項第1号）、物の発明について、実施可能要件を充足するためには、発明の詳細な説明に、当業者が、発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、その物を生産し、かつ、その物を使用できる程度の記載があれば、実施可能要件を満たすということができるので、以下、この観点に立って検討する。 （２）冷却速度について ア 本件特許明細書には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。また、「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。 （ア）「【００３３】 以下に、本実施形態に係る絶縁回路基板１０の製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。 ・・・ 【００３６】 （冷却工程Ｓ０３） そして、加熱工程Ｓ０２の後、冷却を行うことにより、溶融したＡｇ−Ｔｉ系ろう材（Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材）２４を凝固させる。 なお、この冷却工程Ｓ０３における冷却速度は、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。」 （イ）「【００５９】 ・・・評価結果を表２に示す。 【００６０】 【表２】  」 イ 前記ア（ア）の記載からみれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」の製造方法における冷却速度を２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすればよいことを理解できる。 すると、前記ア（イ）の本発明例１１〜１８に冷却速度の記載がなくても、当業者は、前記ア（イ）の【表２】に記載されている製造条件に加えて、冷却速度を２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲で選択することで、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」を製造できるものといえる。 （３）「加熱温度における温度積分値」について ア 本件特許明細書には、更に以下の記載がある。 （ア）「【００３５】 （加熱工程Ｓ０２） 次に、銅板２２とセラミックス基板１１とを加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、Ａｇ−Ｔｉ系ろう材（Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材）２４を溶融する。 ここで、加熱工程Ｓ０２における加熱温度は、ＣｕとＳｉの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされている。また、この加熱工程Ｓ０２において、上述の加熱温度における温度積分値は、１℃・ｈ以上１１０℃・ｈ以下の範囲内とする。 また、この加熱工程Ｓ０２における加圧荷重は、０．０２９ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の範囲内とする。」 （イ）「【００５５】 （実施例２） 窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）からなるセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．３２ｍｍ）を準備した。 このセラミックス基板の両面に、無酸素銅からなる銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．２ｍｍ）を、表２に示す活性金属を含むＡｇ−Ｃｕ系ろう材を用いて、表２に示す条件で銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）を得た。なお、接合時の真空炉の真空度は５×１０−３Ｐａとした。 【００５６】 得られた絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）について、接合界面近傍の最大押し込み硬さを、実施例１と同様の方法で評価した。 また、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径、活性金属化合物層中のＳｉ，Ａｇ，Ｃｕの有無、超音波接合について、以下に示す方法で評価した。」 イ 前記ア（ア）の記載からみれば、本件発明における「加熱温度における温度積分値」は、ＣｕとＳｉの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内にある加熱温度における「温度積分値」である。 そして、前記（２）ア（イ）の本発明例１１〜１８によれば、前記加熱温度は、「銅／セラミックス接合体」ないし「絶縁回路基板」を製造する度ごとに一義的に決定されるものであるから、本件発明における「加熱温度における温度積分値」は、「銅／セラミックス接合体」ないし「絶縁回路基板」を製造する度ごとに一義的に決定される加熱温度における「温度積分値」をいうものといえる。 ウ 更に、「温度積分値」という用語及びその「℃・ｈ」という単位からみれば、当業者は、当該「温度積分値」が、温度と時間を掛け合わして積算したものと理解できるのであり、このことは、甲第１号証の、 「【００３１】 ここで、銅板接合工程Ｓ０２においては、Ｃｕ−Ｓｉ共晶温度（８０４℃）以上における温度と時間とを掛け合わして積算した温度積分値が１８０℃・ｍｉｎ以上３５００℃・ｍｉｎ以下の範囲内となるように、昇温速度、保持温度、保持時間、降温速度等が規定される。・・・」との記載とも整合するものである。 エ 前記イ及びウを併せてみれば、当業者は、本件発明における「加熱温度における温度積分値」が、「銅／セラミックス接合体」ないし「絶縁回路基板」を製造する度ごとに一義的に決定される加熱温度と時間とを掛け合わして積算したものを意味することを理解でき、その定義を理解することができるものである。 また、本発明例１１において加熱時間が０．０６分（＝３．６秒）という極めて短い時間で接合できることにより、「加熱温度における温度積分値」の定義が理解できなくなるものではないし、本件特許出願の審査の過程で、特許権者が「加熱温度における温度積分値」について特段の主張をしていなくても、当業者が「加熱温度における温度積分値」の定義を前記のとおりに理解できることに変わりはないから、これらの事情にかかわらず、当業者は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて、本件発明における「加熱温度における温度積分値」の定義を理解できるものである。 （４）まとめ そうすると、本件特許明細書の記載、及び、前記イの事項並びに前記エの事項について、前記（１）の判断手法に照らせば、当業者は、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」を生産し、かつ使用することができるといえるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件に適合する。 （５）小括 したがって、前記第３の１（１）及び（２）の特許異議申立理由はいずれも理由がない。 ２ 特許法第29条第2項所定の規定違反（進歩性欠如）について （１）甲各号証の記載事項等 ア 甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明 （ア）甲第１号証には以下（１ａ）〜（１ｂ）の記載がある。 （１ａ）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 銅又は銅合金からなる銅部材と窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、前記セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ−Ｃｕ共晶層と、が形成されており、 前記窒化化合物層の厚さは０．１５μｍ以上１．０μｍ以下であり、 前記銅部材と前記セラミックス部材との間には、前記窒化物形成元素とＳｉを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在しており、 前記窒化化合物層の粒界にはＣｕ及びＳｉが存在していることを特徴とする銅／セラミックス接合体。」 （１ｂ）「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 しかしながら、特許文献１に開示されているように、ＤＢＣ法によってセラミックス基板と銅板とを接合する場合には、接合温度を１０６５℃以上（銅と銅酸化物との共晶点温度以上）にする必要があることから、接合時にセラミックス基板が劣化してしまうおそれがあった。 また、特許文献２に開示されているように、例えばＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉろう材等を用いた活性金属ろう付け法によってセラミックス基板と銅板とを接合する場合には、接合温度が９００℃と比較的高温とされていることから、やはり、セラミックス基板が劣化してしまうといった問題があった。ここで、単に接合温度を低下させた場合には、ろう材がセラミックス基板と十分に反応せず、セラミックス基板と銅板の界面での接合率が低下してしまい、信頼性の高い絶縁回路基板を提供することができない。 さらに、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉろう材を用いて接合する際の接合温度が高い場合、接合界面に形成される窒化化合物層（窒化チタン層）が厚く成長し、この窒化化合物層（窒化チタン層）においてクラックが発生し易くなるといった問題があった。 【０００７】 この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、窒化化合物層におけるクラックの発生を抑制でき、銅部材と窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが確実に接合された信頼性の高い銅／セラミックス接合体、及び、この銅／セラミックス接合体からなる絶縁回路基板を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００８】 このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、前記セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ−Ｃｕ共晶層と、が形成されており、前記窒化化合物層の厚さは０．１５μｍ以上１．０μｍ以下であり、前記銅部材と前記セラミックス部材との間には、前記窒化物形成元素とＳｉを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在しており、前記窒化化合物層の粒界にはＣｕ及びＳｉが存在していることを特徴としている。 【０００９】 この構成の銅／セラミックス接合体においては、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面にＡｇ−Ｃｕ共晶層が形成されているとともに、前記銅部材と前記セラミックス部材との間に前記窒化物形成元素とＳｉを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在していることから、窒化ケイ素からなるセラミックス基板の接合面において十分に分解反応が生じており、銅部材とセラミックス部材とが確実に接合された銅／セラミックス接合体を得ることができる。・・・ さらに、前記Ａｇ−Ｃｕ共晶層とセラミックス部材との間に厚さ０．１５μｍ以上１．０μｍ以下の前記窒化化合物層が形成されており、前記窒化化合物層の粒界においてＣｕ及びＳｉが存在しているので、この窒化化合物層におけるクラックの発生を抑制することができるとともに、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に未反応部が生じることが無く、接合強度の高い銅／セラミックス接合体を得ることができる。」 （イ）前記（ア）（１ａ）によれば、甲第１号証には、 「銅又は銅合金からなる銅部材と窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、前記セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ−Ｃｕ共晶層と、が形成されており、 前記窒化化合物層の厚さは０．１５μｍ以上１．０μｍ以下であり、 前記銅部材と前記セラミックス部材との間には、前記窒化物形成元素とＳｉを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在しており、 前記窒化化合物層の粒界にはＣｕ及びＳｉが存在していることを特徴とする銅／セラミックス接合体。」の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 イ 甲第２号証の記載事項 甲第２号証には以下（２ａ）〜（２ｄ）の記載がある。 （２ａ）「請求の範囲 ［請求項１］ セラミックス部材と、 接合層を介して前記セラミックス部材と接合された銅部材と、を具備し、 前記接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴは、１．０ＧＰａ以上２．５ＧＰａ以下である、接合体。 ・・・ ［請求項１１］ 前記銅部材は、前記銅部材と前記接合層との界面から前記銅部材の厚さ方向に１００μｍ離れた領域を有し、 前記接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴと前記領域のナノインデンテーション硬さＨＩＴとの差は、０．５ＧＰａ以下である、請求項１に記載の接合体。」 （２ｂ）「［００１０］ 図１、図２は、セラミックス−銅接合体の一例を示す図である。図１、図２は、接合体１と、セラミックス基板２と、銅板３（表銅板３１、裏銅板３２）と、接合層４（表面側接合層４１、裏面側接合層４２）と、接合層４の中心部５と、銅板３と接合層４との界面から銅板３の厚さ方向に１００μｍの位置の領域６と、を図示している。」 （２ｃ）「［００４９］（実施例１〜６、比較例１） セラミックス基板として、表１に示す窒化珪素基板を用意した。 ・・・ ［００５１］ 接合ろう材として表２に示すろう材を用意した。 ・・・ ［００５３］ 窒化珪素基板上に接合ろう材ペーストを塗布して、銅板を配置した。なお、接合ろう材ペーストの塗布厚さは２０〜３０μｍの範囲内とした。 ［００５４］ 次に、接合工程として、７８０〜８５０℃、非酸化性雰囲気、１×１０−３Ｐａ以下の条件銅板を窒化珪素板に接合した。・・・ ［００５５］ 次にエッチング工程を行い、表銅板をパターン形状に加工した。・・・ ［００５６］ エッチング加工により銅板側面形状、接合層はみ出し部の長さを調整した。その結果を表３に示す。これにより実施例および比較例に係るセラミックス−銅接合体を作製した。銅板のビッカース硬さＨＶは４０〜８０の範囲内であった。 ・・・ ［００５８］ 実施例および比較例にかかるセラミックス回路基板は接合層が１５〜２５μｍの範囲内であった。接合ろう材中のＡｇが銅部材に拡散していることが確認された。実施例および比較例にセラミックス回路基板に対し、接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴを測定した。・・・接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴをＨＩＴ（Ａ）と表記する。 ［００５９］ 銅板における銅板と接合層の接合界面から銅板の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所のナノインデンテーション硬さＨＩＴについても測定した。・・・銅板における銅板と接合層の接合界面から銅板の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所のナノインデンテーション硬さＨＩＴをＨＩＴ（Ｂ）と表記する。 ［００６０］ ナノインデンタとしてＨｙｓｉｔｒｏｎ社製「ＴＩ９５０トライボンデンタ」を用いた。圧子としてバーコビッチ型ダイヤモンドの三角錐圧子を用いた。・・・このときの押込み深さを測定し、ナノインデンテーション硬さＨＩＴを求めた。 ［００６１］・・・その結果を表４に示す。 ［００６２］［表４］  」 （２ｄ）「【図１】  」 ウ 甲第３号証の記載事項 甲第３号証には以下（３ａ）〜（３ｃ）の記載がある。 （３ａ）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 窒化物系セラミック部材と、Ti、Zr、HfおよびNbから選ばれた少なくとも 1種の活性金属を含む Ag−Cu系ろう材層を介して、前記窒化物系セラミックス部材に接合された金属部材とを具備するセラミックス−金属接合体において、 前記窒化物系セラミック部材側の接合界面には、前記活性金属を含む化合物の直径 100nm以下の球状粒子が層状に存在することを特徴とするセラミックス−金属接合体。」 （３ｂ）「【００１０】また、金属部材は、用途に応じて各種の金属材料から適宜選択すればよく、例えば構造材料としては、鋼材、耐熱合金、超硬合金等が例示され、また電子部品材料としては、Cu、Cu合金、Ni、Ni合金、W 、Mo等が例示される。」 （３ｃ）「【図１】  」 （２）対比・判断 ア 本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明における「銅又は銅合金からなる銅部材と窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体」は、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材と、ケイ素含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体」に相当し、甲１発明における「Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層」は、本件発明１における「Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層」に相当し、甲１発明において、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、前記セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ−Ｃｕ共晶層と、が形成されて」いることは、本件発明１において、「前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されて」いることに相当する。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、 「銅又は銅合金からなる銅部材と、ケイ素含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されている、銅／セラミックス接合体。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１：本件発明１は、「銅／セラミックス接合体」が、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域においてバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さが１１０ｍｇｆ／μｍ２以上１５０ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされ」る、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は、前記発明特定事項を有しない点。 ・相違点２：本件発明１は、「銅／セラミックス接合体」が、「前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１８０ｎｍ以下である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は、前記発明特定事項を有しない点。 イ 始めに、前記アの相違点１の容易想到性について検討すると、前記（１）ア（ア）（１ｂ）によれば、甲１発明は、従来の「銅／セラミックス接合体」における、接合時にセラミックス基板が劣化してしまうおそれがあった、という課題、信頼性の高い絶縁回路基板を提供することができない、という課題、窒化化合物層（窒化チタン層）においてクラックが発生し易くなる、という課題を解決しようとするものであって、「銅部材」と「セラミックス部材」との接合界面にＡｇ−Ｃｕ共晶層が形成されているとともに、前記「銅部材」と前記「セラミックス部材」との間に前記窒化物形成元素とＳｉを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在していることから、「銅部材」と「セラミックス部材」とが確実に接合された「銅／セラミックス接合体」を得ることができ、さらに、前記Ａｇ−Ｃｕ共晶層と「セラミックス部材」との間に厚さ０．１５μｍ以上１．０μｍ以下の前記窒化化合物層が形成されており、前記窒化化合物層の粒界においてＣｕ及びＳｉが存在しているので、この窒化化合物層におけるクラックの発生を抑制することができるとともに、前記「銅部材」と前記「セラミックス部材」との接合界面に未反応部が生じることが無く、接合強度の高い「銅／セラミックス接合体」を得ることができるものである。 すると、甲１発明は、そもそも、「銅部材」と「セラミックス部材」との「接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域においてバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さ」（以下、単に「最大押し込み硬さ」ということがある。）が記載も示唆もされるものではないから、甲１発明において、前記「最大押し込み硬さ」を「１１０ｍｇｆ／μｍ２以上１５０ｍｇｆ／μｍ２以下」とする動機づけは存在しない。 ウ また、前記（１）イ（２ａ）〜（２ｄ）によれば、甲第２号証には、「セラミックス部材」と、接合層を介して前記「セラミックス部材」と接合された「銅部材」と、を具備し、前記接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴは、１．０ＧＰａ以上２．５ＧＰａ以下である「接合体」であって、前記「銅部材」は、前記「銅部材」と前記接合層との界面から前記「銅部材」の厚さ方向に１００μｍ離れた領域を有し、前記接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴと前記領域のナノインデンテーション硬さＨＩＴとの差が０．５ＧＰａ以下である、「接合体」が記載されている。 具体的には、前記「接合体」は、実施例２に注目すると、接合層のナノインデンテーション硬さＨＩＴ（Ａ）が１．５ＧＰａであり、銅板における銅板と接合層の接合界面から銅板の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所のナノインデンテーション硬さＨＩＴ（Ｂ）が１．２ＧＰａであるものである。 ここで、甲第２号証に記載された「接合体」は、「銅／セラミックス接合体」といえるが、前記「銅／セラミックス接合体」は、「銅部材」と「セラミックス部材」とが、それらの間の接合層を介して接合されたものであって、前記「銅部材」と「セラミックス部材」との接合界面を有するものではないから、前記ナノインデンテーション硬さＨＩＴ（Ａ）及びナノインデンテーション硬さＨＩＴ（Ｂ）は、いずれも、「銅部材」と「セラミックス部材」との「接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域におけるバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さ」といえるものではないので、甲第２号証にも、前記「最大押し込み硬さ」が記載も示唆もされるものではない。 エ 更に、前記（１）ウ（３ａ）〜（３ｃ）によれば、甲第３号証には、「窒化物系セラミック部材」と、Ti、Zr、HfおよびNbから選ばれた少なくとも 1種の活性金属を含む Ag−Cu系ろう材層を介して、前記「窒化物系セラミックス部材」に接合された「金属部材」とを具備する「セラミックス−金属接合体」において、前記「窒化物系セラミック部材」側の接合界面には、前記活性金属を含む化合物の直径 100nm以下の球状粒子が層状に存在する「セラミックス−金属接合体」が記載されており、甲第３号証に記載された「金属部材」は、電子部品材料として、Cu、Cu合金が例示されるものであるから、「銅部材」といえ、甲第３号証に記載された「窒化物系セラミック部材」及び「セラミックス−金属接合体」は、それぞれ、「セラミックス部材」及び「銅／セラミックス接合体」といえるが、前記「銅／セラミックス接合体」も、甲第２号証の「銅／セラミックス接合体」と同様に、「銅部材」と「セラミックス部材」とが、それらの間のAg−Cu系ろう材層を介して接合されたものであって、前記「銅部材」と「セラミックス部材」との接合界面を有するものではないから、甲第３号証にも、前記「最大押し込み硬さ」が記載も示唆もされるものではない。 オ 前記イ〜エによれば、そもそも、甲１発明において、前記「最大押し込み硬さ」を「１１０ｍｇｆ／μｍ２以上１５０ｍｇｆ／μｍ２以下」とする動機づけは存在しない上に、甲第１〜３号証のいずれにも、前記「最大押し込み硬さ」が記載も示唆もされていないのであるから、当業者は、甲１発明に甲第２〜３号証に記載された事項を適用しても、前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものには至らない。 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明に基づいて、甲１発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて、又は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２〜３号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 そして、本件発明２〜４について検討しても事情は同じであるから、本件発明１〜４に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものではない。 カ 申立人は、本件発明１と甲１発明は、「銅／セラミックス接合体」の製造方法が同一といえ、本件発明１は、公知材料の中から数値範囲の最適化または好適化を行っているにすぎない旨、甲第１号証には、「銅／セラミックス接合体」を製造する際の冷却速度が記載されていないが、本件発明において冷却速度に技術的特徴があり、「銅部材」と「セラミックス部材」との「接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域におけるバーコビッチ圧子を用いて測定された最大押し込み硬さ」の発明特定事項を満たすということはできないから、本件発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた旨（特許異議申立書１０頁１５行〜１１頁下から２行）、甲１発明及び甲２発明は属する技術分野が共通しているので、甲２発明を甲１発明に適用することは当業者の通常の創作能力の発揮であり、当業者が容易になし得ることであるから、本件発明１は、甲１発明及び甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨（特許異議申立書１４頁１１行〜１６行）、甲１発明〜甲３発明が属する技術分野が共通しているので、甲３発明を甲１発明又は甲２発明に適用することは、当業者の通常の創作能力の発揮であり、当業者が容易になし得ることであるから、本件発明１は、甲１発明及び甲３発明（又は甲１発明〜甲３発明）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである旨を主張する（特許異議申立書１５頁下から６行〜最終行）。 しかし、本件発明１は、甲１発明に基づいて、甲１発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて、又は、甲１発明及び甲第２〜３号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないことは、前記オに記載のとおりである。 また、前記主張は、甲第１号証以外の、甲第２号証及び甲第３号証のいずれかを主引用例として、本件発明１が容易想到であることを主張するものとも解されるが、甲第１〜３号証のいずれにも、前記「最大押し込み硬さ」が記載も示唆もされていないのであるから、仮に、甲第２号証及び甲第３号証のいずれかを主引用例としたとしても、当業者は、「銅／セラミックス接合体」を、前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものには至らないことに変わりはないので、申立人の前記主張はいずれも採用できない。 （３）小括 したがって、前記第３の２の特許異議申立理由は理由がない。 第５ むすび 以上のとおりであるので、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 2022-06-10 |
| 出願番号 | P2020-196300 |
| 審決分類 |
P
1
651・
536-
Y
(C04B)
P 1 651・ 121- Y (C04B) |
| 最終処分 | 07 維持 |
| 特許庁審判長 |
河本 充雄 |
| 特許庁審判官 |
関根 崇 金 公彦 |
| 登録日 | 2021-09-06 |
| 登録番号 | 6939973 |
| 権利者 | 三菱マテリアル株式会社 |
| 発明の名称 | 銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板 |
| 代理人 | 寺本 光生 |
| 代理人 | 細川 文広 |
| 代理人 | 大浪 一徳 |
| 代理人 | 松沼 泰史 |