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現在の検索キーワード：横山敏志

206 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2005/12/26	不服 2002 -8480	多結晶シリコン機械的加工物	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社トクヤマ	原文	保存
該当なし
2005/12/13	不服 2002 -16474	複合酸化物ゾル、その製造方法および基材	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		触媒化成工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/11/08	異議 2003 -73291	無転位シリコン単結晶の製造方法	訂正を認める。特許第3446032号の請求項1に係る特許を維持する。	中村誠その他		原文	保存
該当なし
2005/10/28	不服 2003 -3019	結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/10/27	不服 2002 -11365	球状シリカ粒子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		触媒化成工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/09/27	訂正 2005 -39089	シリコン単結晶ウエハの製造方法	特許第3611236号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ……	木下茂	東芝セラミックス株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2005/09/21	不服 2002 -9504	工程条件の変動を許容する無欠陥シリコン結晶の製造法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	柴田康夫	エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2005/09/08	不服 2002 -9071	複合酸化物ゾルおよびその製造法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		触媒化成工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/09/06	不服 2001 -21473	窒化アルミニウムウィスカーの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	須藤政彦	独立行政法人産業技術総合研究所電気化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/08/23	不服 2002 -5633	高品質シリコン単結晶	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	森道雄	株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2005/08/23	不服 2001 -8382	光用LiTaO3単結晶およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	荒井鐘司その他	信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/07/20	異議 2003 -73677	アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法	訂正を認める。特許第3433678号の訂正後の請求項1ないし9に係る……	好宮幹夫		原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加明確性
2005/05/31	不服 2002 -525	フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		キヤノン株式会社	原文	保存
該当なし
2005/04/25	不服 2002 -5510	溶融金属用容器の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		東洋炭素株式会社	原文	保存
該当なし
2004/12/01	不服 2002 -9066	単結晶製造装置および製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/10/27	不服 2002 -3409	エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/10/18	不服 2002 -3408	パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/09/01	不服 2001 -10351	キャリア体の加熱方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	添田全一	ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング	原文	保存
該当なし
2004/03/17	不服 2001 -7877	マイクロ波素子材料	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	嶋崎英一郎その他	信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2004/03/11	不服 2002 -17885	単結晶シリコンインゴットの製造方法	原査定を取り消す。本願請求項1～13に係る発明は、特許すべき……	柴田康夫	エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2004/01/05	不服 2002 -9880	炭化珪素の単一ポリタイプの大型単結晶を成長させる方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ノースカロライナステートユニバーシティ	原文	保存
パリ条約
2003/08/11	不服 2001 -16405	プラズマ処理装置用ヒータ	原査定を取り消す。本願請求項1及び2に係る発明は、特許すべき……	鈴江武彦その他	三菱重工業株式会社	原文	保存
該当なし
2003/04/22	不服 2001 -6001	ZnSe結晶の熱処理方法	原査定を取り消す。本願請求項1に係る発明は、特許すべきもの……		住友電気工業株式会社	原文	保存
該当なし
2003/02/17	不服 2001 -3413	単結晶引上装置及び高純度黒鉛材料	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	須原誠	東洋炭素株式会社	原文	保存
該当なし
2002/12/19	異議 2002 -70032	GaN単結晶基板およびその製造方法	訂正を認める。特許第3184717号の請求項1ないし4に係る特許を維……	高島一		原文	保存
該当なし
2001/09/25	異議 2000 -74550	シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法	特許第3055457号の請求項1、2に係る特許を取り消す。	生形元重その他		原文	保存
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