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762 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2008/10/29	不服 2005 -23483	内容アドレス指定可能メモリ(CAM)装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	上野剛史その他	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
パリ条約
2008/10/23	不服 2006 -8598	集積磁気抵抗半導体メモリー構造	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
パリ条約
2008/10/21	不服 2006 -5755	イメージセンサの製造方法およびイメージセンサ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	川崎実夫	ローム株式会社	原文	保存
該当なし
2008/10/20	不服 2005 -22161	集積回路	本件審判の請求は、成り立たない。		ローム株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2008/10/20	不服 2006 -7178	半導体記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
新規性進歩性(29条2項) 新規事項の追加
2008/10/16	不服 2005 -16336	絶縁ゲート型半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。	中村誠その他	株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2008/10/16	不服 2005 -23889	レジストパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置	本件審判の請求は、成り立たない。	上柳雅誉	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2008/10/14	不服 2006 -5798	電子部品取扱い装置及び取扱い方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社村田製作所	原文	保存
該当なし
2008/10/07	不服 2006 -6343	薄膜トランジスタ及びその製法と液晶表示装置とプロジェクション装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ティーピーオーホンコンホールディングリミテッド	原文	保存
新規事項の追加
2008/10/07	不服 2005 -21065	MOS電界効果トランジスタ及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		三星電子株式会社	原文	保存
パリ条約新規事項の追加
2008/10/06	不服 2005 -10293	磁気トンネル接合センサ及びディスク・ドライブ・システム	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	小川勝男	ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ	原文	保存
パリ条約
2008/10/01	不服 2006 -9381	メモリ装置、およびデータ転送方法	本件審判の請求は、成り立たない。	堀井豊その他	ミツビシ・セミコンダクター・アメリカ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2008/09/29	無効 2008 -800010	積層鉄芯の製造方法およびその製造装置	訂正を認める。本件審判の請求は、成り立たない。審判費用は……	中村朝幸その他	JFEスチール株式会社	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加
2008/09/29	不服 2007 -19986	半導体製造装置における生産情報のデータ解析方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社日立国際電気	原文	保存
該当なし
2008/09/29	不服 2006 -2291	バイポーラトランジスタ及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	和泉良彦	日産自動車株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/25	不服 2006 -2452	半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。	村松貞男その他	株式会社東芝	原文	保存
新規事項の追加
2008/09/24	不服 2006 -4560	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2008/09/22	不服 2006 -6159	防爆弁を形成した被膜付コンデンサ用アルミケースと被膜付コンデンサ用アルミケースに防爆弁を形成するために使用する刻印金型	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社アプトデイト	原文	保存
進歩性(29条2項)
2008/09/18	不服 2005 -23642	メモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。		三洋電機株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/17	不服 2006 -2985	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社ルネサステクノロジ	原文	保存
該当なし
2008/09/16	不服 2006 -5286	電界効果型トランジスタ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2008/09/12	不服 2005 -20613	交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		アルプス電気株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/10	不服 2006 -4512	絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2008/09/10	不服 2005 -24733	半導体装置及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/09	不服 2005 -19512	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	二宮克也その他	松下電器産業株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/09	不服 2006 -12434	電気二重層キャパシタおよびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		日産ディーゼル工業株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項) 新規事項の追加
2008/09/08	不服 2006 -1489	DRAMキャパシタの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ウィンボンドエレクトロニクスコープ	原文	保存
新規事項の追加
2008/09/08	不服 2006 -5273	半導体装置及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加
2008/09/08	不服 2005 -23732	半導体集積回路の設計方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2008/09/03	不服 2006 -4109	半導体メモリ装置の欠陥セル検出装置及びその方法	本件審判の請求は、成り立たない。		三星電子株式会社	原文	保存
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