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今井 拓也
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2006/01/30
不服
2004 -23600
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
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該当なし
2006/01/23
不服
2003 -1878
アモルファス半導体膜の多結晶化方法及びレーザアニール装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
住友重機械工業株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/19
不服
2002 -15886
シリコン単結晶ウエーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/12
不服
2002 -19807
HMDS供給装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
萩原 康司 その他
東京エレクトロン株式会社
原文
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該当なし
2006/01/10
不服
2003 -23025
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
沖電気工業株式会社
原文
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該当なし
2006/01/05
不服
2003 -15862
正特性サーミスタ装置の端子体の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三洋電機株式会社
原文
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該当なし
2006/01/04
不服
2004 -6311
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村上 啓吾 その他
株式会社ルネサステクノロジ
原文
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該当なし
2005/11/07
不服
2002 -2381
磁気異方性樹脂結合型磁石
本件審判の請求は、成り立たない。
愛知製鋼株式会社
原文
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該当なし
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