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現在の検索キーワード： 小川 将之

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/02/27 不服
2010 -21303  		空心リアクトル 本件審判の請求は、成り立たない。 西森 正博   西日本旅客鉄道株式会社 株式会社指月電機製作所   原文 保存
該当なし 　
2012/02/21 不服
2010 -11843  		強誘電体メモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 永田 美佐 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2012/02/20 不服
2010 -12737  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2012/02/16 不服
2010 -19452  		圧粉磁心及びチョーク 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立金属株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/14 不服
2010 -11416  		アクティブマトリクスディスプレイ装置およびその製造 本件審判の請求は、成り立たない。 関根 毅 その他   ティーピーオー、ホンコン、ホールディング、リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/02/13 不服
2009 -7809  		導線近傍にスキャッタリング・バーを配置させてなる半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2012/02/13 不服
2008 -24397  		磁気結合構成方式 本件審判の請求は,成り立たない。   渋谷 和男   原文 保存
該当なし 　
2012/02/13 不服
2010 -4685  		固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/13 不服
2011 -12986  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 柏谷 昭司 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/10 不服
2009 -15843  		ゼロ・ボイルオフ冷凍剤冷却式再凝縮形超伝導磁石集成体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小倉 博 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし 　
2012/02/06 不服
2010 -18600  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 井口 亮祉 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2012/02/06 不服
2010 -5715  		固体撮像装置及び電子機器 本件審判の請求は,成り立たない。 伊藤 仁恭   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/03 不服
2010 -12941  		ナノグラニュラー軟磁性膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人物質・材料研究機構   原文 保存
該当なし 　
2012/02/03 不服
2010 -22552  		高電気比抵抗磁気抵抗膜 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   公益財団法人電磁材料研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/02/01 不服
2010 -19225  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 蔵田 昌俊 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2012/01/31 不服
2009 -25110  		改善されたセル安定性及び性能のためのハイブリッド・バルク-SOI6T-SRAMセル 本件審判の請求は、成り立たない。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/01/31 不服
2011 -724  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2012/01/25 不服
2010 -3554  		相変化型メモリ素子およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 皿田 秀夫   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/24 不服
2009 -24476  		半導体集積回路装置とCMOS回路の高速化方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2012/01/23 不服
2010 -27174  		化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小野 由己男   サムスン エルイーディー カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/01/19 不服
2010 -29083  		MTJ素子、MTJ素子アレイ、ならびにMTJ素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2012/01/19 不服
2010 -2083  		メモリーアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
 パリ条約 　
2012/01/16 不服
2010 -751  		強誘電体キャパシタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 永田 美佐 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/16 不服
2009 -7309  		電子素子用基板製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/01/13 不服
2009 -24842  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/13 不服
2011 -8298  		半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 英樹 その他   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/13 不服
2010 -21202  		磁気メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 関根 毅 その他   株式会社東芝 日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/06 不服
2009 -24743  		固体撮像素子装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西島 孝喜 その他   イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/01/05 不服
2009 -5967  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/01/05 不服
2010 -24964  		磁気トンネル接合構造体及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　

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