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現在の検索キーワード: 棚田 一也

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2017/04/25 不服
2016 -9509 
改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 茂雄 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/04/12 異議
2015 -700306 
半導体装置及びその製造方法 特許第5802231号の明細書,特許請求の範囲を訂正請求書に添付され…… 市川 浩 その他     原文 保存
該当なし  
2017/04/07 不服
2016 -1966 
SiC上の高耐圧パワー半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   ダウ コーニング コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2017/04/04 不服
2016 -7896 
半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 茂則   住友化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/01/24 不服
2016 -8057 
p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社リコー   原文 保存
該当なし  
2017/01/06 不服
2016 -62 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2016/12/05 不服
2016 -2603 
炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/11/29 不服
2015 -15695 
窒化物ベースのトランジスタおよびエッチストップ層を用いた製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/11/28 不服
2015 -9551 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2016/11/24 不服
2015 -15762 
Ga2O3系半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 平田 忠雄 その他   国立研究開発法人情報通信研究機構 株式会社タムラ製作所   原文 保存
該当なし  
2016/08/29 不服
2015 -11809 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/08/18 不服
2015 -10290 
炭化珪素半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池上 徹真 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2016/06/06 不服
2015 -17341 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/03/18 不服
2014 -12110 
有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   コニカミノルタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/01/25 不服
2014 -22700 
薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社JOLED   原文 保存
該当なし  
2016/01/20 不服
2014 -26469 
EL表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/11/26 不服
2013 -22856 
ダイオード、トランジスター、ダイオードを形成するための二相コンポジット及びダイオードを形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 辻居 幸一 その他   マシュー エル マロッコ ザ サード   原文 保存
該当なし  
2015/10/19 不服
2014 -19942 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 和詳 その他   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/09 不服
2014 -16375 
電界効果型トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法、X線撮像装置の製造方法及び光センサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 浩志 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/09/04 不服
2014 -12073 
電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/08/21 不服
2014 -15436 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/07/28 無効
2014 -800139 
アモルファス酸化物薄膜 本件審判の請求は,成り立たない。 審判費用は,請求人の負担とす…… 望月 尚子 その他   株式会社 半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/07/28 無効
2014 -800138 
アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法 本件審判の請求は,成り立たない。 審判費用は,請求人の負担とす…… 吉本 智史 その他   株式会社 半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/06/26 不服
2014 -9666 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/06/23 不服
2014 -14875 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/06/19 不服
2014 -12595 
表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/05/08 不服
2014 -890 
単一ゲートの誘電体構造を有するエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2015/02/26 不服
2014 -4042 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須藤 章 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2015/02/23 不服
2014 -8651 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2015/02/23 不服
2014 -8652 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  

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