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現在の検索キーワード： 萩原 周治

312 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/10/16 不服
2013 -19160  		気密封止筐体および気密封止筐体製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NEC東芝スペースシステム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/09/29 不服
2013 -13518  		過渡的増速拡散を削減するためのイオン注入方法 本件審判の請求は、成り立たない。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/09/17 不服
2013 -19444  		金属シリケート膜のALD 本件審判の請求は,成り立たない。   エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/07/31 不服
2013 -20767  		発光装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2014/07/22 不服
2013 -15361  		高誘電率膜を製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/07/15 不服
2013 -23551  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 敏史   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2014/07/01 不服
2014 -1126  		強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/07/01 不服
2013 -24980  		強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/06/30 不服
2013 -10255  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/06/19 不服
2013 -16900  		半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 油井 透 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし 　
2014/06/17 不服
2013 -16944  		欠陥パシベーションのための高Kゲート積層構造に対するフッ素プラズマ処理 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 義教   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/06/03 不服
2013 -17393  		レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス 本件審判の請求は,成り立たない。 山川 茂樹   シリコン ジェネシス コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2014/05/14 不服
2013 -20500  		電子部品用パッケージおよび圧電振動デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社大真空   原文 保存
該当なし 　
2014/05/13 不服
2013 -16959  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/03/31 不服
2013 -437  		プラズマイオン注入中にドーパント濃度を測定するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 義教   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/03/19 不服
2013 -17446  		誘電体フィルムを形成する方法および該誘電体フィルムを形成するための化合物の使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井関 守三 その他   レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード   原文 保存
該当なし 　
2014/03/05 不服
2013 -4382  		ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2014/02/21 不服
2013 -4137  		誘電体薄膜の製造方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/02/18 不服
2013 -10357  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/12/26 不服
2013 -34  		半導体基板上に半導体構造物を製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2013/12/20 不服
2013 -5373  		リードフレーム、パッケージ型磁気センサ及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野見山 孝   株式会社東海理化電機製作所   原文 保存
該当なし 　
2013/11/25 不服
2012 -16378  		太陽電池用単結晶シリコン薄膜の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし 　
2013/10/03 不服
2013 -10150  		歪みゲルマニウム含有層を有するデバイスのためのUV支援による誘電層形成 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/09/20 不服
2012 -23897  		高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/09/03 不服
2012 -24377  		転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/08/27 不服
2012 -19142  		光照射式加熱方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ウシオ電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/08/06 不服
2012 -23747  		フォトアニール時に温度を均一化させるためのシリコン層 本件審判の請求は,成り立たない。 大渕 美千栄   ウルトラテック インク   原文 保存
該当なし 　
2013/07/31 不服
2012 -21951  		SOIウエーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/07/24 不服
2013 -4444  		酸素含有半導体ウェハの処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　
2013/07/10 不服
2012 -17003  		検査方法及び半導体基板製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　

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