審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード： 萩原 周治

312 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
　 ポートフォリオ名を入力して新規に保存　→　

　既存のポートフォリオを選択して保存　→　
絞り込み検索ワード： or or 　→　
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/06/24 不服
2012 -16828  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大前 要   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/06/19 不服
2012 -12445  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/06/13 不服
2012 -19450  		半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日本製鋼所   原文 保存
該当なし 　
2013/05/29 不服
2012 -17305  		多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NLTテクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/25 不服
2012 -13759  		サーバ装置およびプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/04 不服
2012 -13417  		半導体製造システム、半導体製造装置のロギング方法、管理装置及び管理装置のプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 清野 仁 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし 　
2013/03/28 不服
2012 -8905  		レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 本件審判の請求は,成り立たない。 伊東 忠重 その他   ティーシーズィー,エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/18 不服
2011 -10406  		同時注入により基板内に脆性領域を生成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大崎 勝真   コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク   原文 保存
該当なし 　
2012/12/25 不服
2012 -2523  		IGBT用のシリコンウェーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 寺本 光生 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/11/19 不服
2011 -21219  		逐次的横方向結晶化技術を用いて結晶化させた複数の半導体薄膜フィルムを処理するシステム及びプロセス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大倉 昭人   ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク   原文 保存
該当なし 　
2012/11/15 不服
2011 -23697  		シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 詔男 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/11/15 不服
2011 -22940  		半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/10/18 不服
2011 -26234  		イオン注入方法およびイオン注入装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大森 純一   株式会社アルバック   原文 保存
該当なし 　
2012/10/01 不服
2011 -11674  		電気的に活性な薄膜を移送するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   エス・オー・アイ・テック・シリコン・オン・インスレーター・テクノロジーズ コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -223  		半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -13606  		加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法 本件審判の請求は,成り立たない。 赤岡 明 その他   マットソン、テクノロジー、インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/08/22 不服
2011 -5854  		半導体処理システム 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 義教   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/08/20 不服
2010 -883  		熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/08/10 不服
2010 -22116  		基板を熱処理するための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也   シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし 　
2012/08/08 不服
2009 -14230  		単結晶シリコンウェーハの製造方法、この種のシリコンウェーハおよびその使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　
2012/07/30 不服
2010 -21189  		シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/30 不服
2010 -20498  		半導体素子の製造方法およびその方法により製造された半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/25 不服
2011 -13708  		熱処理ボートの評価方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/20 不服
2011 -19070  		GaN単結晶基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 近藤 伊知良 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/29 不服
2011 -159  		シリコン単結晶層の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/06/27 不服
2010 -26729  		シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/06/22 不服
2010 -12975  		枚葉式半導体基板処理リアクタの温度制御 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.   原文 保存
該当なし 　
2012/06/05 不服
2010 -27954  		レーザアニール方法及びレーザアニール装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/06/04 不服
2010 -23296  		基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソワテク   原文 保存
該当なし 　
2012/05/29 不服
2010 -12908  		表面状態を改善する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 中村 行孝 その他   ソワテク   原文 保存
該当なし 　

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ