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萩原 周治
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2009/08/20
不服
2006 -22403
ダイオード
本件審判の請求は,成り立たない。
株式会社日立製作所
原文
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29条1項3号 新規性
2009/07/28
不服
2006 -22201
SOIウエーハの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
新規事項の追加 のみ用いる
2009/07/24
不服
2007 -3815
薄膜トランジスタの作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2009/07/21
不服
2006 -12588
半導体製造システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
清野 仁 その他
株式会社日立国際電気
原文
保存
該当なし
2009/06/12
不服
2008 -6139
表示装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/05/25
不服
2006 -11930
水素アニール処理方法及びその装置
本件審判の請求は,成り立たない。
株式会社日立国際電気
原文
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新規事項の追加
2009/03/25
不服
2006 -5896
非熱的結晶回復法および微細加工方法
本件審判の請求は、成り立たない。
独立行政法人物質・材料研究機構
原文
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該当なし
2009/03/24
不服
2006 -3227
貼り合わせウェーハの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
石渡 英房 その他
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2009/03/10
不服
2006 -9089
水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ 信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2009/03/02
不服
2006 -8927
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
竹内 祐二 その他
パナソニック株式会社
原文
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該当なし
2009/02/03
不服
2006 -10292
量子効果半導体装置とその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2009/01/29
不服
2006 -18943
ポリシリコンエミッタを備えたバイポーラ接合トランジスタの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/01/26
不服
2006 -2684
アニールウェーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/20
不服
2006 -1446
SOI基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社SUMCO
原文
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該当なし
2009/01/16
不服
2006 -8170
急速熱処理装置及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ボルテック インダストリーズ リミテッド
原文
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パリ条約
2009/01/07
不服
2006 -3743
薄膜の加熱処理方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2008/12/24
不服
2006 -12941
バイポーラトランジスター及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
原文
保存
該当なし
2008/12/15
不服
2006 -3716
加熱・加圧処理装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社神戸製鋼所
原文
保存
該当なし
2008/11/11
不服
2006 -14144
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
大塩 竹志 その他
株式会社半導体エネルギー研究所 シャープ株式会社
原文
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新規事項の追加
2008/09/08
不服
2005 -17711
シリコンウェーハ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
株式会社SUMCO
原文
保存
該当なし
2008/09/08
不服
2006 -22675
高電子移動度トランジスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2008/08/06
不服
2006 -3774
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
沖電気工業株式会社
原文
保存
該当なし
2008/07/28
不服
2006 -2683
シリコン鏡面ウェーハの製造方法及びシリコン鏡面ウェーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2008/05/13
不服
2005 -21079
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
片山 修平
ユーディナデバイス株式会社 富士通株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2008/01/28
不服
2007 -5318
ウェハの加熱冷却装置
本件審判の請求は、成り立たない。
ブルックス オートメーション インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2007/10/29
不服
2004 -2585
急速熱処理(RTP)システムにおける改善された温度制御のための方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
矢野 敏雄 その他
シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
原文
保存
該当なし
2007/08/08
不服
2006 -18851
トランジスタの降伏電圧制御用半導体回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
保存
パリ条約
2007/07/10
不服
2004 -25052
SOIウエハ上に基板コンタクトを形成する方法および半導体デバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
坂口 博 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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新規事項の追加
2007/04/03
不服
2004 -4764
低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法及びその低抵抗型化合物半導体材料を備えた発光ダイオードを製造する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
國聯光電科技股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2006/11/27
不服
2003 -13952
マイクロ波アニールによる極浅半導体接合の形成
本件審判の請求は、成り立たない。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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