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萩原 周治
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2006/09/29
不服
2004 -1401
半導体デバイスのエミッタ形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
西山 善章 その他
ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド エヌシーアール インターナショナル インコーポレイテッド シンバイオス・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2006/05/02
不服
2004 -1216
半導体基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2006/03/17
不服
2003 -23357
高いアーリー電壓,高周波性能及び高降伏電壓特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ハリス・コーポレーション
原文
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該当なし
2006/03/08
不服
2004 -2403
ウェーハ内部のCu除去方法およびバルク中のCuの濃度測定方法ならびに低Cu濃度のシリコンウェーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社SUMCO
原文
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該当なし
2006/02/21
不服
2002 -2439
ダイヤモンド半導体作製方法およびダイヤモンド半導体
本件審判の請求は、成り立たない。
福田 伸一 その他
独立行政法人産業技術総合研究所 独立行政法人科学技術振興機構
原文
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新規事項の追加 技術的範囲
2006/01/11
不服
2004 -1731
トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2005/11/07
不服
2001 -16398
半導体ウェハの熱処理法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他
ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
原文
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該当なし
2005/10/19
不服
2003 -19572
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2005/10/11
不服
2003 -3376
半導体装置とその作製方法
本件審判の請求は、成り立たない。
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
原文
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パリ条約
2005/09/29
不服
2003 -1194
薄膜トランジスターの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
朝日 伸光 その他
エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2005/09/28
異議
2003 -72935
エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
訂正を認める。 特許第3412531号の請求項1及び2に係る特許を維持……
好宮 幹夫
原文
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29条の2(拡大された先願の地位) 国内優先権 新規事項の追加
2005/06/06
不服
2003 -7626
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
鈴江 武彦 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2005/05/25
不服
2003 -4948
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
キヤノン株式会社
原文
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該当なし
2005/05/24
不服
2002 -17287
イオン注入機用プラテン
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
滝田 清暉
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2005/04/07
不服
2002 -17954
シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2004/11/12
不服
2002 -17956
シリコンウエーハの熱処理方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2004/10/04
不服
2002 -1922
SOI基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2004/09/29
不服
2000 -10090
半導体基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
碓氷 裕彦
株式会社日本自動車部品総合研究所
原文
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該当なし
2004/07/16
不服
2001 -16119
SOI基板とその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2004/07/09
不服
2002 -11447
SOI基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三菱住友シリコン株式会社
原文
保存
該当なし
2004/06/07
不服
2002 -944
集積回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
セイコーインスツルメンツ株式会社
原文
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該当なし
2004/06/07
不服
2002 -7042
トランジスタ回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
加藤 大登
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2004/03/02
不服
2001 -12727
半導体シリコンウェハおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
名塚 聡 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2004/03/01
不服
2001 -12276
イオン注入法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
独立行政法人産業技術総合研究所
原文
保存
該当なし
2004/01/06
不服
2001 -5565
半導体薄膜の多結晶化方法
本件審判の請求は、成り立たない。
カシオ計算機株式会社
原文
保存
該当なし
2003/11/17
不服
2001 -7324
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
机 昌彦 その他
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2003/07/28
不服
2000 -14993
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
河合 信明 その他
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2003/01/27
不服
2000 -20053
シリコンウエーハおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2002/11/22
不服
2000 -8402
シリコンウエーハの処理方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
コマツ電子金属株式会社
原文
保存
該当なし
2002/08/22
不服
2000 -8496
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
福田 修一 その他
日本電気株式会社
原文
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