審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード: 萩原 周治

312 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
  ポートフォリオ名を入力して新規に保存 → 

 既存のポートフォリオを選択して保存 → 
絞り込み検索ワード: or or  → 
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2006/09/29 不服
2004 -1401 
半導体デバイスのエミッタ形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 善章 その他   ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド エヌシーアール インターナショナル インコーポレイテッド シンバイオス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2006/05/02 不服
2004 -1216 
半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/03/17 不服
2003 -23357 
高いアーリー電壓,高周波性能及び高降伏電壓特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ハリス・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2006/03/08 不服
2004 -2403 
ウェーハ内部のCu除去方法およびバルク中のCuの濃度測定方法ならびに低Cu濃度のシリコンウェーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2006/02/21 不服
2002 -2439 
ダイヤモンド半導体作製方法およびダイヤモンド半導体 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 伸一 その他   独立行政法人産業技術総合研究所 独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
 新規事項の追加  技術的範囲  
2006/01/11 不服
2004 -1731 
トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/11/07 不服
2001 -16398 
半導体ウェハの熱処理法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2005/10/19 不服
2003 -19572 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/11 不服
2003 -3376 
半導体装置とその作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2005/09/29 不服
2003 -1194 
薄膜トランジスターの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2005/09/28 異議
2003 -72935 
エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 訂正を認める。 特許第3412531号の請求項1及び2に係る特許を維持…… 好宮 幹夫     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  国内優先権  新規事項の追加  
2005/06/06 不服
2003 -7626 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴江 武彦 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2005/05/25 不服
2003 -4948 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/05/24 不服
2002 -17287 
イオン注入機用プラテン 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 滝田 清暉   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/04/07 不服
2002 -17954 
シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/11/12 不服
2002 -17956 
シリコンウエーハの熱処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/10/04 不服
2002 -1922 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/09/29 不服
2000 -10090 
半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 碓氷 裕彦   株式会社日本自動車部品総合研究所   原文 保存
該当なし  
2004/07/16 不服
2001 -16119 
SOI基板とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/07/09 不服
2002 -11447 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱住友シリコン株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/06/07 不服
2002 -944 
集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セイコーインスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/06/07 不服
2002 -7042 
トランジスタ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 大登   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2004/03/02 不服
2001 -12727 
半導体シリコンウェハおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 名塚 聡 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2004/03/01 不服
2001 -12276 
イオン注入法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2004/01/06 不服
2001 -5565 
半導体薄膜の多結晶化方法 本件審判の請求は、成り立たない。   カシオ計算機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/11/17 不服
2001 -7324 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 机 昌彦 その他   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/07/28 不服
2000 -14993 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/01/27 不服
2000 -20053 
シリコンウエーハおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/11/22 不服
2000 -8402 
シリコンウエーハの処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   コマツ電子金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/08/22 不服
2000 -8496 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ