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綿引 隆
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2016/02/08
不服
2014 -23330
酸化物半導体膜の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2016/02/08
不服
2014 -21817
レーザ照射装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2016/02/02
不服
2014 -25728
ネスト化複合スイッチ
本件審判の請求は、成り立たない。
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
保存
該当なし
2016/01/25
不服
2014 -22700
薄膜トランジスタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社JOLED
原文
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該当なし
2016/01/25
不服
2014 -16700
熱プロセスによってエッチングされた基板からハロゲン残渣を除去するための統合された方法
本件審判の請求は、成り立たない。
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2016/01/25
不服
2014 -20884
エピタキシャル基板
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊
日本碍子株式会社
原文
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該当なし
2016/01/25
不服
2014 -16436
電子素子用電子ブロック層
本件審判の請求は、成り立たない。
サンディスク コーポレイション
原文
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該当なし
2016/01/19
不服
2015 -2986
トランジスタを有する装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2016/01/19
不服
2014 -19933
電極規定層を包含する窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
松田 豊治 その他
インターナショナル・レクティファイアー・コーポレーション
原文
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該当なし
2016/01/15
不服
2015 -506
基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
東京エレクトロン株式会社
原文
保存
該当なし
2016/01/13
異議
2015 -700197
半導体装置
特許第5721351号の請求項1、2、3、5、6、14に係る特許を維持する。
川崎 実夫
原文
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該当なし
2016/01/05
不服
2014 -15924
プラズマ処理システムにおけるイオンエネルギ分布の制御
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ラム リサーチ コーポレーション
原文
保存
該当なし
2016/01/05
不服
2014 -21511
加熱溶融処理方法および加熱溶融処理装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
アユミ工業株式会社
原文
保存
該当なし
2015/12/28
不服
2014 -14348
プラズマ発生装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ラム リサーチ コーポレーション
原文
保存
該当なし
2015/12/21
不服
2014 -22588
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
伊東 忠彦
ミツミ電機株式会社
原文
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該当なし
2015/12/21
不服
2014 -22415
化合物半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
國分 孝悦
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 富士通株式会社
原文
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該当なし
2015/12/21
不服
2014 -18644
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
酒井 昭徳
富士電機株式会社 株式会社デンソー
原文
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該当なし
2015/12/16
不服
2014 -16323
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
佐々木 聖孝
国立大学法人東北大学 東京エレクトロン株式会社
原文
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該当なし
2015/12/16
不服
2014 -23900
共通基板上にカラムIII-VトランジスタとともにシリコンCMOSトランジスタを有する半導体構造
本件審判の請求は,成り立たない。
夫馬 直樹 その他
レイセオン カンパニー
原文
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該当なし
2015/12/15
不服
2014 -22788
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
本件審判の請求は、成り立たない。
芝浦メカトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2015/12/11
不服
2014 -12254
フラッシュメモリ技術およびLOCOS/STIアイソレーションに関する、回路の窒化トンネル酸化物のための窒化バリア
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大貫 敏史
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2015/12/08
不服
2014 -22590
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
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該当なし
2015/12/07
不服
2014 -16919
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2015/12/07
不服
2014 -16096
エッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及び半導体基板製品の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
飯田 敏三
富士フイルム株式会社
原文
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該当なし
2015/12/01
不服
2014 -20518
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
高橋 拓也 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -16679
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日産自動車株式会社
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -15455
エピタキシャルウエハおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
二島 英明 その他
住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -20322
SOIウェハの製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
飯野 智史 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -14284
スイッチング制御装置及びショットキーダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
平田 忠雄
国立研究開発法人物質・材料研究機構 株式会社光波
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -11011
半導体エピタキシャル基板及び半導体センサ用基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
JX日鉱日石金属株式会社
原文
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