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北島 健次
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/10/18
不服
2011 -25281
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
日産自動車株式会社
原文
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該当なし
2012/10/18
不服
2011 -19076
集積回路装置及び電子機器
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
黒田 泰 その他
セイコーエプソン株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/15
不服
2011 -6726
強磁性/反強磁性検知要素を備えた磁気抵抗センサー
本件審判の請求は,成り立たない。
エヌテエヌ-エス.エヌ.エール.ルルモン
原文
保存
該当なし
2012/10/15
不服
2011 -19413
SiCの除去法
本件審判の請求は,成り立たない。
竹内 三喜夫 その他
アイメック
原文
保存
該当なし
2012/10/12
不服
2012 -4589
FERAMコンデンサの化学的機械研磨
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
稲葉 良幸
フェローズ リサーチ ビー.ブイ.,エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/10/10
不服
2011 -22374
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/10
不服
2011 -20915
ダミーワード線を備えたフラッシュメモリアレイの消去電圧分布の改良方法
本件審判の請求は、成り立たない。
大貫 敏史 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/10/09
不服
2011 -17162
半導体素子の素子分離膜形成方法
本件審判の請求は,成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/03
不服
2011 -20684
半導体装置のレイアウト方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/03
不服
2011 -5091
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/02
不服
2011 -21997
パッシベーション処理されていないレーザ・ヒューズの飛散の低減
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
原文
保存
該当なし
2012/09/28
不服
2011 -23948
巨大磁気抵抗センサおよびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/28
不服
2011 -2074
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
天城 聡
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/25
不服
2011 -15880
低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/25
不服
2011 -13606
加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法
本件審判の請求は,成り立たない。
関根 毅 その他
マットソン、テクノロジー、インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/25
不服
2011 -1532
ドーピング源でもあるエッチャントガスを用いてトレンチをエッチングすることで形成されるドープカラムを含む電圧維持領域を有する高電圧電力MOSFET
本件審判の請求は、成り立たない。
村松 貞男 その他
ジェネラル・セミコンダクター・インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/25
不服
2011 -223
半導体基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/24
不服
2011 -12974
半導体電子デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
酒井 宏明
古河電気工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/24
不服
2010 -18564
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/24
不服
2011 -8093
半導体装置とその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/24
不服
2011 -415
歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法
本件審判の請求は,成り立たない。
浅村 皓 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/24
不服
2011 -593
高電流薄型インダクタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ヴィシェイ デイル エレクトロニクス,インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/19
不服
2011 -63
半導体デバイスで用いられるキャパシタとその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
朝日 伸光 その他
アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2012/09/19
不服
2011 -4575
PCMセルにおける“先溶融”領域の制御方法及びそれにより得た装置
本件審判の請求は、成り立たない。
杉村 憲司
アイメック エヌエックスピー ビー ヴィ
原文
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該当なし
2012/09/18
不服
2011 -28020
ショットキバリアダイオードおよびエピタキシャル基板
本件審判の請求は、成り立たない。
長谷川 芳樹 その他
住友電気工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/12
不服
2010 -14497
仮想接地アレイ・不揮発性半導体メモリ装置を形成する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
堀井 豊 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/09/12
不服
2011 -26953
絶縁ゲート型半導体素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
パナソニック株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/12
不服
2011 -16490
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2012/09/12
不服
2011 -14942
半導体集積回路装置
本件審判の請求は、成り立たない。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/09/11
不服
2011 -22707
埋め込みゲートを有するMOSゲート装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
フェアーチャイルド セミコンダクター コーポレイション
原文
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該当なし
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