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北島 健次
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/09/10
不服
2011 -8745
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
特許業務法人 天城国際特許事務所
株式会社東芝 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2012/09/07
不服
2011 -10690
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2012/09/06
不服
2011 -6837
半導体装置製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
次世代半導体材料技術研究組合
原文
保存
該当なし
2012/09/05
不服
2011 -12071
メモリデバイス用デコーダ
本件審判の請求は、成り立たない。
稲葉 良幸 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/09/04
不服
2011 -13901
耐欠陥性及び耐故障性回路相互接続
本件審判の請求は、成り立たない。
西山 清春 その他
ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
原文
保存
該当なし
2012/09/04
不服
2011 -12934
高電圧スイッチング素子を構成するマイクロエレクトロニクス素子構造およびそれを形成するための方法
本件審判の請求は,成り立たない。
田中 光雄 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/08/23
不服
2011 -16909
不揮発性記憶素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/22
不服
2011 -13807
改善されたキャリア移動度を有するフィンFETとその形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/08/21
不服
2009 -25704
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
清水 久義 その他
昭和電工株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/21
不服
2011 -16674
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/21
不服
2010 -23472
フラッシュメモリセルの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エスケーハイニックス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/21
不服
2010 -14819
半導体素子のキャパシタ製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/21
不服
2011 -15784
非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置
本件審判の請求は、成り立たない。
加藤 和詳 その他
富士フイルム株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2010 -15359
複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜上に形成される半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -15531
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -7038
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -13669
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -8055
層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造、半導体装置及び製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
山口 昭則
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -15732
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -8765
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2010 -22417
半導体層形成装置
本件審判の請求は、成り立たない。
特許業務法人原謙三国際特許事務所
シャープ株式会社 ナノシス・インク.
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -14740
NAND型フラッシュメモリデバイスの形成方法
本件審判の請求は,成り立たない。
森田 俊雄 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -16058
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2010 -883
熱処理方法
本件審判の請求は、成り立たない。
パナソニック株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2010 -22498
不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
堀井 豊 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -1539
不揮発性強誘電体メモリの配線
本件審判の請求は、成り立たない。
山川 茂樹 その他
エスケーハイニックス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -15723
金属ゲート電極半導体デバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
伊東 忠彦 その他
インテル コーポレイション
原文
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該当なし
2012/08/13
不服
2011 -21579
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
小室 敏雄 その他
株式会社フジクラ オリンパス株式会社
原文
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該当なし
2012/08/13
不服
2010 -4663
高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
荒川 伸夫 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/08/13
不服
2010 -21941
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
オリンパス株式会社 株式会社フジクラ
原文
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該当なし
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