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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/09/10 不服
2011 -8745 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 天城国際特許事務所   株式会社東芝 岩手東芝エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/07 不服
2011 -10690 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2012/09/06 不服
2011 -6837 
半導体装置製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   次世代半導体材料技術研究組合   原文 保存
該当なし  
2012/09/05 不服
2011 -12071 
メモリデバイス用デコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。 稲葉 良幸 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/09/04 不服
2011 -13901 
耐欠陥性及び耐故障性回路相互接続 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 清春 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.   原文 保存
該当なし  
2012/09/04 不服
2011 -12934 
高電圧スイッチング素子を構成するマイクロエレクトロニクス素子構造およびそれを形成するための方法 本件審判の請求は,成り立たない。 田中 光雄 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/23 不服
2011 -16909 
不揮発性記憶素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/22 不服
2011 -13807 
改善されたキャリア移動度を有するフィンFETとその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2009 -25704 
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 清水 久義 その他   昭和電工株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -16674 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2010 -23472 
フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2010 -14819 
半導体素子のキャパシタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -15784 
非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置 本件審判の請求は、成り立たない。 加藤 和詳 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -15359 
複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜上に形成される半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15531 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -7038 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -13669 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -8055 
層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造、半導体装置及び製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 山口 昭則   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15732 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -8765 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -22417 
半導体層形成装置 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人原謙三国際特許事務所   シャープ株式会社 ナノシス・インク.   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -14740 
NAND型フラッシュメモリデバイスの形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -16058 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -883 
熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -22498 
不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀井 豊 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -1539 
不揮発性強誘電体メモリの配線 本件審判の請求は、成り立たない。 山川 茂樹 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15723 
金属ゲート電極半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2011 -21579 
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小室 敏雄 その他   株式会社フジクラ オリンパス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -4663 
高精度メモリ読み出しオペレーション用選択回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -21941 
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   オリンパス株式会社 株式会社フジクラ   原文 保存
該当なし  

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