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現在の検索キーワード： 長谷川 直也

52 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/08/25 不服
2020 -16436  		結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社FLOSFIA   原文 保存
該当なし 　
2021/07/21 不服
2020 -16450  		結晶性半導体膜および半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社FLOSFIA   原文 保存
該当なし 　
2021/07/07 不服
2020 -17032  		エピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2021/06/02 不服
2019 -14298  		リソ・フリーズ・リソ・エッチプロセスを用いる伸長コンタクト 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2021/04/28 不服
2019 -17710  		基板をエッチングする方法、デバイス構造をエッチングする方法及び処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石川 雅章   ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2021/02/24 不服
2019 -3237  		縁部クリティカルディメンジョンの均一性制御用のプロセスキット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2021/02/17 不服
2019 -3537  		ICPプラズマ処理チャンバ内における高収率・基板最端部欠陥低減のための単一リング設計 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2020/10/21 不服
2018 -16413  		エッチング液及びその使用方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 篤 その他   バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2020/01/20 不服
2019 -14670  		酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三橋 真二 その他   バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2019/12/25 不服
2018 -6426  		3Dデバイスを製造するための方法及び前駆体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木村 健治 その他   バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2019/11/11 不服
2018 -7442  		軟磁性樹脂組成物、および、軟磁性フィルム 本件審判の請求は、成り立たない。   日東電工株式会社   原文 保存
該当なし 　
2019/09/24 不服
2018 -5410  		遠隔プラズマ源を使用する低温での選択的な酸化のための装置及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2019/04/19 不服
2018 -2418  		セレン化13族ナノ粒子 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ナノコ テクノロジーズ リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2019/02/06 不服
2017 -17544  		パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 本件審判の請求は,成り立たない。   日立化成株式会社   原文 保存
該当なし 　
2018/04/23 不服
2017 -10444  		積層半導体構造における縦方向の電気接続の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アヴェニ   原文 保存
該当なし 　
2018/04/02 不服
2017 -5632  		エピタキシャルウェハおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人深見特許事務所   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2017/11/28 不服
2016 -8749  		SiC半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/11/24 不服
2016 -17781  		炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 内野 春喜 その他   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/06/26 不服
2015 -13649  		ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 堂垣 泰雄 その他   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/06/12 不服
2016 -11068  		高圧高温焼結による熱電性能指数(ZT)の影響 本件審判の請求は,成り立たない。   ダイヤモンド イノヴェーションズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2017/02/06 不服
2015 -21779  		SiC半導体デバイス及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/11/02 異議
2016 -700693  		ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法 特許第5865916号の請求項1ないし5に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし 　
2016/10/24 不服
2015 -18258  		積層型熱電変換モジュール 本件審判の請求は、成り立たない。   国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2016/10/18 不服
2015 -9734  		記録ヘッドコイル構造 本件審判の請求は、成り立たない。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2016/10/11 不服
2015 -17771  		データ記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2016/08/29 不服
2015 -9106  		半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置および電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ジャパンディスプレイ   原文 保存
該当なし 　
2016/06/16 不服
2015 -10880  		チップの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 福原 淑弘 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2016/04/19 不服
2015 -11961  		データ書込機 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2015/11/12 不服
2014 -20260  		炭化珪素半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 松井 重明 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2015/03/30 不服
2014 -6146  		基板貫通バイアの作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山田 卓二 その他   アイメック   原文 保存
該当なし 　

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