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棚田 一也
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2021/07/14
不服
2020 -16668
窒化タンタルで終端されるウェハ貫通ビアを含むパワーアンプモジュールおよび関連するシステム、デバイスおよび方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2021/04/28
不服
2020 -7598
薄膜トランジスタおよびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
凸版印刷株式会社
原文
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該当なし
2021/03/24
不服
2020 -9610
半導体装置および電力変換装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
有田 貴弘
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2021/03/18
不服
2020 -9828
結晶性有機半導体材料の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上島 類 その他
クラップ カンパニー リミテッド
原文
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該当なし
2021/01/06
不服
2019 -16785
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
野々部 泰平 その他
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2020/04/28
不服
2018 -16716
エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
原文
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該当なし
2019/12/09
不服
2018 -14285
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
倉谷 泰孝 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2019/11/12
不服
2018 -7922
炭化ケイ素装置におけるオーミック接触のためのシステム及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
田中 拓人 その他
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
原文
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該当なし
2019/07/29
不服
2018 -13285
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
久野 淑己 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2019/07/11
不服
2017 -10718
炭化ケイ素MOSFETセルの形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
小倉 博 その他
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
原文
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該当なし
2019/03/08
不服
2018 -3605
トランジスタ、及び、トランジスタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
二宮 浩康 その他
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
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該当なし
2019/01/21
不服
2018 -4886
公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル
本件審判の請求は、成り立たない。
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2018/06/25
不服
2017 -9394
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
酒井 昭徳
国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社
原文
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該当なし
2018/06/14
不服
2017 -13838
トレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
本件審判の請求は,成り立たない。
ヴィシェイ-シリコニックス
原文
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該当なし
2018/02/14
不服
2017 -6153
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2018/01/09
不服
2017 -798
炭化珪素半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
特許業務法人ゆうあい特許事務所
トヨタ自動車株式会社 株式会社デンソー
原文
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該当なし
2018/01/09
不服
2017 -5236
逆導通IGBT
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
特許業務法人快友国際特許事務所
トヨタ自動車株式会社 株式会社豊田中央研究所
原文
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該当なし
2017/12/04
不服
2017 -1051
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
酒井 昭徳
富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所
原文
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該当なし
2017/10/31
不服
2015 -18374
薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村山 靖彦 その他
ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ
原文
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該当なし
2017/09/26
不服
2016 -12058
炭化珪素半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松井 重明 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2017/09/20
不服
2015 -22264
代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
鮫島 睦
インテグリス・インコーポレーテッド
原文
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該当なし
2017/08/31
不服
2016 -10017
ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
竹内 茂雄 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2017/08/07
不服
2016 -16836
化合物半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通株式会社
原文
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該当なし
2017/07/25
不服
2016 -16084
窒化物半導体素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
鶴田 準一 その他
エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド
原文
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該当なし
2017/07/25
不服
2016 -15742
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2017/07/11
不服
2016 -15643
電力用半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
倉谷 泰孝 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2017/06/19
不服
2017 -706
半導体装置とその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
トヨタ自動車株式会社
原文
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該当なし
2017/06/14
不服
2017 -980
半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
吉竹 英俊
日本碍子株式会社
原文
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該当なし
2017/05/30
不服
2016 -13724
半導体装置及び半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大貫 敏史 その他
トランスフォーム・ジャパン株式会社
原文
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該当なし
2017/05/08
不服
2016 -13412
化合物半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
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該当なし
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