ポートフォリオを新規に作成して保存 |
|
|
既存のポートフォリオに追加保存 |
|
PDFをダウンロード |
審決分類 |
審判 一部申し立て 2項進歩性 H01L 審判 一部申し立て 特36 条4項詳細な説明の記載不備 H01L |
---|---|
管理番号 | 1003721 |
異議申立番号 | 異議1998-71153 |
総通号数 | 4 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許決定公報 |
発行日 | 1994-02-10 |
種別 | 異議の決定 |
異議申立日 | 1998-02-20 |
確定日 | 1999-06-11 |
異議申立件数 | 1 |
事件の表示 | 特許第2642031号「化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法及び化合物半導体単結晶基板」の請求項1に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 |
結論 | 特許第2642031号の請求項1に係る特許を取り消す。 |
理由 |
1.本件特許第2642031号は、平成5年特許願第40336号として、平成5年3月2日に出願され、平成9年5月2日にその特許権の設定登録がなされ、その後、青木美幸より特許の異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成10年8月27日に特許異議意見書の提出とともに訂正請求がなされ、この訂正請求に対して訂正拒絶理由通知がなされたものである。 2.上記訂正請求の適否について判断する。 上記訂正請求は、願書に添付された明細書を、訂正請求書に添付された明細書のとおり訂正することを求めるものと認める。 これに対して、平成10年9月18日付けで訂正拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。 そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるので、上記訂正請求は、この訂正拒絶の理由によって認められない。 3.本件請求項1に係る発明は、本件特許の願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1に記載されたとおりのものと認める。 4.上記取消理由通知に対する上記訂正請求は、上記2のとおり認められず、また、上記訂正請求と同日付けで提出された特許異議意見書を検討しても、上記取消理由は妥当なものと認められるので、本件請求項1に係る発明の特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。 |
異議決定日 | 1999-03-18 |
出願番号 | 特願平5-40336 |
審決分類 |
P
1
652・
531-
ZB
(H01L)
P 1 652・ 121- ZB (H01L) |
最終処分 | 取消 |
前審関与審査官 | 宮崎 園子 |
特許庁審判長 |
小林 武 |
特許庁審判官 |
橋本 武 松田 悠子 |
登録日 | 1997-05-02 |
登録番号 | 特許第2642031号(P2642031) |
権利者 | 住友電気工業株式会社 |
発明の名称 | 化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法及び化合物半導体単結晶基板 |
代理人 | 甲田 一幸 |
代理人 | 森田 俊雄 |
代理人 | 伊藤 英彦 |
代理人 | 深見 久郎 |