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審決分類 |
審判 査定不服 4号2号請求項の限定的減縮 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 4項4号特許請求の範囲における明りょうでない記載の釈明 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 4項1号請求項の削除 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 特17条の2、3項新規事項追加の補正 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 4項3号特許請求の範囲における誤記の訂正 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) H01L |
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管理番号 | 1178867 |
審判番号 | 不服2005-20534 |
総通号数 | 103 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2008-07-25 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2005-10-25 |
確定日 | 2008-06-25 |
事件の表示 | 平成11年特許願第184157号「自己整合的に形成されたシリサイド膜を備えたCMOSイメージセンサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成12年 1月28日出願公開、特開2000- 31449、請求項の数(2)〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
理由 |
本願は、平成11年 6月29日(パリ条約による優先権主張 1998年 6月29日 (KR)大韓民国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
審決日 | 2008-06-13 |
出願番号 | 特願平11-184157 |
審決分類 |
P
1
8・
571-
WYF
(H01L)
P 1 8・ 537- WYF (H01L) P 1 8・ 561- WYF (H01L) P 1 8・ 574- WYF (H01L) P 1 8・ 573- WYF (H01L) P 1 8・ 572- WYF (H01L) |
最終処分 | 成立 |
前審関与審査官 | 恩田 春香 |
特許庁審判長 |
河合 章 |
特許庁審判官 |
井原 純 北島 健次 |
発明の名称 | 自己整合的に形成されたシリサイド膜を備えたCMOSイメージセンサの製造方法 |
代理人 | 眞下 晋一 |
代理人 | 三枝 英二 |
代理人 | 中川 博司 |
代理人 | 松本 公雄 |